[实用新型]薄膜沉积装置有效
| 申请号: | 201520265380.1 | 申请日: | 2015-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN204714899U | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
| 发明(设计)人: | 黄常洙;李愚嗔;河周一;申奇照;李敦熙 | 申请(专利权)人: | TES股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 陶敏;臧建明 |
| 地址: | 韩国京畿道龙仁市处*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 沉积 装置 | ||
1.一种薄膜沉积装置,其特征在于包含:
气体供给部,其具备至少一个的气体供给模块,所述气体供给模块供给包含原料气体与反应气体的多种制程气体及吹扫气体,对残留的所述制程气体或所述吹扫气体进行排气;及
基板支撑部,其支撑基板,并以相对于所述气体供给部可移动的方式被具备;且
所述基板支撑部执行包含多次分步前进及分步后退的至少一个的循环移动,在进行所述至少一个的循环移动的情况下,所述基板的最初位置与最终位置之间的循环移动距离为所述至少一个的气体供给模块的长度以上。
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其特征在于:
所述基板支撑部进行所述分步后退的分步后退距离小于所述基板支撑部进行所述分步前进的分步前进距离。
3.根据权利要求2所述的薄膜沉积装置,其特征在于:
所述分步前进距离为0.1mm至15mm,所述分步后退距离小于所述分步前进距离。
4.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其特征在于:
在执行n次所述循环移动的情况下,
所述基板从第m-1次循环移动的最终位置向第m次循环移动的最初位置直线移动,其中n≥2且2≤m≤n。
5.根据权利要求4所述的薄膜沉积装置,其特征在于:
所述第m次循环移动的最初位置与所述第m-1次循环移动的最初位置相同。
6.根据权利要求4所述的薄膜沉积装置,其特征在于:
所述第m次循环移动的最初位置较所述第m-1次循环移动的最初位置移动与位移距离相同的距离。
7.根据权利要求6所述的薄膜沉积装置,其特征在于:
所述位移距离与所述基板支撑部执行分步前进的分步前进距离不同。
8.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其特征在于:
在执行n次所述循环移动的情况下,
所述基板通过包含多次分步前进及分步后退的分步移动而从第m-1次循环移动的最终位置向第m次循环移动的最初位置移动,其中n≥2且2≤m≤n。
9.根据权利要求8所述的薄膜沉积装置,其特征在于:
所述第m次循环移动的最初位置与所述第m-1次循环移动的最初位置相同。
10.根据权利要求8所述的薄膜沉积装置,其特征在于:
所述第m次循环移动的最初位置较所述第m-1次循环移动的最初位置移动与位移距离相同的距离。
11.根据权利要求10所述的薄膜沉积装置,其特征在于:
所述位移距离与所述基板支撑部执行分步前进的分步前进距离不同。
12.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其特征在于:
具备所述至少一个的气体供给模块的所述气体供给部的长度为所述基板的直径以上。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





