[实用新型]金属封装大电流、高电压、快恢复二极管

说明书

技术领域

本实用型涉及一种金属封装大电流、高电压、快恢复二极管。

背景技术

大部分大电流、高电压、快恢复二极管一般以塑封结构为主，抗盐雾腐蚀能力较差，工作温度范围一般在-40℃～+85℃，产品的整体质量与可靠性均相对较低。而普通金属封装的电流能力一般较差，无法与同类的塑封结构的产品相媲美。尤其是实现大电流、高电压、快恢复等功能存在一定困难。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种具有大电流输出能力，散热性能好，可靠性高的能降低正向压降的金属封装大电流、高电压、快恢复二极管。

本实用新型涉及的金属封装大电流、高电压、快恢复二极管，包括金属外壳，其特殊之处是：所述金属外壳是由钨铜底板和铁镍合金边框封装构成，在钨铜底板上烧结有氧化铍陶瓷基片，在铁镍合金边框上设有由直径为1.1毫米～1.3毫米的无氧铜构成的大电流输出引线，所述大电流输出引线为无氧铜线，在氧化铍陶瓷基片上设有钨铜过渡片、铜可伐银片，在钨铜过渡片上烧结有快恢复二极管芯片，在钨铜过渡片和大电流输出引线之间连接有连接铜带，快恢复二极管芯片与铜可伐银片之间采用金属丝键合互连。

进一步的，在所述连接铜带上对应其与大电流输出引线连接一端设有连接铜柱，所述连接铜柱穿过并连接在大电流输出引线上。

本实用新型的有益效果是：采用钨铜过渡片、铜可伐银片和由1.1毫米～1.3毫米的无氧铜构成的外引线，保证了产品的大电流输出能力，降低了产品的正向压降数值；金属外壳采用钨铜底板，陶瓷基片采用氧化铍陶瓷基片，两者具有热导率高、热匹配性好的特点，使产品具有更优越的散热性能与可靠性水平；二极管芯片与钨铜过渡片之间烧结，减小了芯片的烧结空洞率，提高了产品的过流能力；大电流输出引线与钨铜过渡片之间采用连接铜带连接，使芯片与大电流输出引线之间连接形成的电阻损耗降到最低，保证了产品整体的大电流输出能力，降低了产品整体的正向压降数值；工作温度范围可达到-55℃～+125℃，环境适应性强、可靠性水平高。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是是图1(去掉管帽)的俯视图。

图中：1－钨铜底板、2－铁镍合金边框、3－陶瓷基片、4－大电流输出引线、5－绝缘子、6－钨铜过渡片、7－铜可伐银片、8－连接铜柱、9－连接铜带、10－快恢复二极管芯片、11－金属丝。

具体实施方式

如图所示，本实用新型包括金属外壳，所述金属外壳是由钨铜底板1和铁镍合金边框2封装而成，在钨铜底板1上烧结有氧化铍陶瓷基片3，在铁镍合金边框2设有由直径为1.1毫米～1.3毫米的无氧铜线构成的大电流输出引线4，大电流输出引线4与铁镍合金边框2之通过绝缘子5绝缘，在氧化铍陶瓷基片3上设有钨铜过渡片6、铜可伐银片7，在钨铜过渡片6上采用合金焊料通过真空烧结焊接有快恢复二极管芯片10，在钨铜过渡片6上还设有连接铜带9，连接铜带9上烧结有连接铜柱8，所述连接铜柱8穿过并连接在大电流输出引线4上，快恢复二极管芯片10与铜可伐银片7之间采用金属丝11键合互连。

以上仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。