[实用新型]湿法刻蚀器件和湿法刻蚀机

说明书

技术领域

本实用新型涉及湿法刻蚀技术领域，尤其涉及一种湿法刻蚀器件和湿法刻蚀机。

背景技术

湿法刻蚀(WET Etch)工艺主要是采用液态化学药品对刻蚀物进行刻蚀去除的技术，具体为通过液态化学药品与刻蚀物进行化学反应，进而改变刻蚀物的结构。

湿法刻蚀工艺主要是通过湿法刻蚀设备进行实现，湿法刻蚀设备中设置有湿法刻蚀槽，湿法刻蚀槽中存储有用于湿法刻蚀的刻蚀液，并且湿法刻蚀槽中设置有多个等距分布的上压滚轴(Roller)和下压滚轴，上滚轴与下滚轴之间具有基板运动通路的间隙。在进行刻蚀步骤时，将基板放置于下滚轴之上，基板受到下滚轴驱动运动，上滚轴用于微压基板防止基板发生漂浮等其它不确定状态的产生。

目前在进行湿法刻蚀工艺时，由于刻蚀液流场不均造成的刻蚀速率不均，进而会严重影响制备产品的性能，例如对导电玻璃(Ag&ITO)进行湿法刻蚀工艺时，现有的湿法刻蚀设备中的上压滚轴的滚轮1通过中心孔2套设在一个中心轴上，并且该滚轮除中心孔2之外均是实心的，如图1所示，当上压滚轴的滚轮1用于微压导电玻璃时会阻碍 刻蚀液的流动，造成刻蚀液的流场不均，致使刻蚀液在导电玻璃的上压力不均，最终导致产品的不同区域的刻蚀速率不同，在降低产品的性能的同时，还会造成诸如关键尺寸失真(CD lose)等缺陷(defeat)，甚至还会造成产品的报废。

实用新型内容

鉴于现有技术中的不足，本实用新型技术方案提供一种湿法刻蚀器件和湿法刻蚀机，本实用新型技术方案在基于传统湿法刻蚀器件结构的基础上，于上压滚轴上开设若干通孔，以便于刻蚀液的流动，进而提高在进行湿法刻蚀工艺中刻蚀液流场的均匀性，以提高产品性能。

本实用新型为解决上述技术问题所采用的技术方案为：

一种湿法刻蚀器件，应用于湿法刻蚀工艺中，其中，所述器件包括：

上压滚轴，所述上压滚轴上开设有通孔，以用于提高所述湿法刻蚀工艺中刻蚀液流场的均匀度。

较佳的，上述的湿法刻蚀器件，其中，所述上压滚轴包括中心轴和具有中心孔的若干滚轮，各所述滚轮均通过所述中心孔套设于所述中心轴上；

其中，各所述滚轮上均开设有所述通孔。

较佳的，上述的湿法刻蚀器件，其中，所述通孔贯穿所述滚轮且围绕所述中心孔设置，以提高所述湿法刻蚀工艺中刻蚀液流场的均匀 度。

较佳的，上述的湿法刻蚀器件，其中，所述通孔围绕所述中心孔均匀设置。

较佳的，上述的湿法刻蚀器件，其中，所述通孔的形状为扇形、矩形、圆形中的一种或多种组合。

一种湿法刻蚀机，应用于湿法刻蚀工艺中，其中，所述湿法刻蚀机包括：

刻蚀凹槽，存储有刻蚀液；

上压滚轴，开设有若干通孔，设置于所述刻蚀凹槽中，用于微压一待刻蚀的半导体衬底；

下压滚轴，位于所述上压滚轴之下且与所述上压滚轴平行设置于所述刻蚀凹槽中，用于传送所述待刻蚀的半导体衬底；

其中，所述上压滚轴与所述下压滚轴之间具有用于所述半导体衬底通过的间隙。

较佳的，上述的湿法刻蚀机，其中，所述上压滚轴包括中心轴和具有中心孔的若干滚轮，各所述滚轮均通过所述中心孔套设于所述中心轴上；

其中，各所述滚轮上均开设有所述通孔，以提高所述湿法刻蚀工艺中刻蚀液流场的均匀度。

较佳的，上述的湿法刻蚀机，其中，所述通孔贯穿所述滚轮且围绕所述中心孔均匀设置。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：

本实用新型公开了一种湿法刻蚀器件和湿法刻蚀机，本实用新型技术方案在基于传统湿法刻蚀器件结构的基础上，于上压滚轴上开设若干通孔，当对一产品进行湿法刻蚀时，所开设的若干通孔方便于刻蚀液的流动，进而提高在进行湿法刻蚀工艺中刻蚀液流场的均匀性，以提高产品进行湿法刻蚀工艺的刻蚀速率的均匀度，一定程度上减少了产品的关键尺寸失真缺陷，提高了产品良率以及降低了生产成本。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型及其特征、外形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例绘制附图，重点在于示出本实用新型的主旨。

图1是传统中上压滚轴的滚轮结构示意图；

图2是本实用新型实施例中上压滚轴的滚轮结构示意图；

图3是本实用新型实施例中上压滚轴的结构示意图；

图4是本实用新型实施例中提升湿法刻蚀液流场均匀度的方法流程示意图。

具体实施方式