[实用新型]一种DFN3313-8 38排引线框架有效
| 申请号： | 201520249230.1 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN204497222U | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 罗天秀;樊增勇;许兵;任伟;崔金忠 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 王芸;熊晓果 |
| 地址： | 611731 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dfn3313 38 引线 框架 | ||
【权利要求书】：
1.一种DFN3313-8 38排引线框架，其特征在于，包括承装的框架，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，所述框架从上至下间隔排列有38排晶体管的焊接区域，所述38排焊接区域每排有60个放置晶体管的单个封装单元，所述单个封装单元内设置有芯片槽，所述每排上的60个单个封装单元位于框架的同一水平线上，所述单个封装单元的长度方向与框架的长度方向平行布置，沿框架的长度方向将框架等分为A、B、C、D四个区域，每个区域之间间隔10mm，靠近边缘的A区和D区距离框架边缘10mm，所述四个区域之间的框架背面上沿框架宽度方向设置有间隔凹槽。
2.根据权利要求1所述的DFN3313-8 38排引线框架，其特征在于，所述间隔凹槽的数量为6个，间隔凹槽的槽宽为6mm、长为10mm。
3.根据权利要求1所述的DFN3313-8 38排引线框架，其特征在于，所述芯片槽为用于安装DFN3313-8封装晶体管的芯片槽，每个芯片槽中设有8个引脚。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都先进功率半导体股份有限公司，未经成都先进功率半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520249230.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
