[实用新型]一种晶硅太阳能电池氧化设备

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体设备制造领域，具体涉及一种晶硅太阳能电池氧化设备。

背景技术

在晶硅太阳能电池制造过程中，通过在硅片表面形成一层纳米级厚度的氧化硅层，可有效防止晶硅太阳能组件PID效应的产生。国内现有的形成氧化层的方法有：1）使用笑气结合管式PECVD设备，在镀膜前形成一层氧化层；2）利用氧气在高温氧化炉内形成一层氧化层；3）在清洗刻蚀下料部分使用臭氧喷淋的方式形成一层氧化层。

上述3个形成氧化层的方法均存在其局限性及缺点：

1）笑气改造管式PECVD设备成本昂贵；

2）高温氧化形成氧化层成本高，能耗高、成品率低；

3）喷淋时间难以控制，氧化层厚度不可控。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是：提供一种结构简单，兼容能力强，可在现在技术条件下实现对硅片的批量氧化处理的晶硅太阳能电池氧化设备。

为解决上述技术问题，本实用新型的一种晶硅太阳能电池氧化设备，由真空系统、臭氧系统以及反应腔室组成，所述真空系统由真空泵和真空管路组成，真空泵与反应腔室通过真空管路相连通，所述臭氧系统由臭氧发生器和臭氧管路组成，臭氧发生器和反应腔室通过臭氧管路相连通，所述反应腔室上设置密封门。

上述技术方案的工作原理为：

打开密封门，将刻蚀后的硅片连带承载其的花篮置于反应腔室中，然后关闭密封门。打开真空泵，将反应腔中空气抽出，然后关闭真空泵并开启臭氧发生器，向反应腔室中通入臭氧，对硅片进行氧化，通过控制通入臭氧时间的长短即控制反应时间控制氧化层的厚度。

进一步地，为保证排气充分，真空管路位于反应腔室下方并与反应腔室下部相连通。

进一步地，为使得臭氧进气顺畅且分布均匀，臭氧管路位于反应腔室上方并于反应腔室上部相连通。

进一步地，为使得反应腔室密封效果更好，密封门四周设置密封胶条。

进一步地，为方便放入和取出需氧化硅片，密封门设置2扇。

进一步地，真空泵采用罗茨真空泵。

    本实用新型的有益效果为：通过设置反应腔室、真空系统和臭氧系统，无需改变现有的太阳能电池生产流程即可对刻蚀清洗后的电池片进行氧化处理，形成氧化层后的硅片可下传后续工序，操作简单、能够常温使用并适于批量生产。此外，氧化层厚度可通过氧化时间进行调节，减少由于氧化不彻底导致的异常产生。

附图说明

图1为本实用新型一种晶硅太阳能电池氧化设备的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步描述。

图1示出了本实用新型一种晶硅太阳能电池氧化设备的一种具体实施方式，图示的晶硅太阳能电池氧化设备由真空系统、臭氧系统以及反应腔室5组成，所述真空系统由真空泵1和真空管路2组成，真空泵1与反应腔室5通过真空管路2相连通，真空管路2位于反应腔室5下方并与反应腔室5下部相连通，所述臭氧系统由臭氧发生器3和臭氧管路4组成，臭氧发生器3和反应腔室5通过臭氧管路4相连通，臭氧管路4位于反应腔室5上方并于反应腔室5上部相连通，所述反应腔室5上设置2扇密封门6，密封门6四周设置密封胶条，真空泵1采用罗茨真空泵。

上述实施例的操作步骤和工作原理为：

打开密封门6，将刻蚀后的硅片连带承载其的花篮置于反应腔室5中，然后关闭密封门6。

打开真空泵1，将反应腔室5中空气抽出，然后关闭真空泵1并开启臭氧发生器3，向反应腔室5中通入臭氧，对硅片进行氧化，通过控制通入臭氧时间的长短即控制反应时间控制氧化层的厚度。

如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型，但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在本实用新型权利要求解释的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。