[实用新型]绕线轮搁架

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种绕线轮搁架，属于多晶硅生产技术领域。

背景技术

目前，目前国内生产多晶硅的工艺大部分都是常规三氯氢硅氢还原法，即改良西门子法，改良西门子法或其他类似方法生产大直径多晶硅的主要设备是多晶硅还原炉，多晶硅还原炉在细长的硅芯上通上电源，使硅芯加热发红，直至表面温度达到1100摄氏度，通入高纯的三氯氢硅和氢气，使其在高温下发生氢还原反应，使三氯氢硅中的硅分子堆积在硅芯上，使其的直径不断地增大，通常，硅芯的直径在7-10毫米，可以是圆形也可以是方型，或是其他形状，最终通过氢还原反应使直径不断地增大到120-200毫米，生产出高纯太阳能级6N或电子级11N的多晶硅。

现硅芯的制备方法有二种，传统的方法是用CZ法（区熔提拉法），即把直径在20-50毫米的硅棒在充满惰性气体的真空炉膛内用高频感应加热，使其顶部局部熔化，从上部放入1根直径在5-10毫米的籽晶，然后慢慢向上提拉，使其成为直径在7-10毫米，长度在1900-3000毫米之间的细长硅芯，其缺点是提拉速度慢，一般为8-12毫米/分钟，拉制1根2米的硅芯需要4小时，生产效率低，电力消耗大，设备投资大。

另一种是用金刚石工具切割法，美国Diamond Wire Technology公司研制出采用金刚石线的数控多晶硅细长硅芯多线切割机床，用于硅芯的制备。通过利用电镀上金刚石微粒的细钢丝线在被加工工件上高速地往复运动或单向移动，将硅棒压在该机床用金刚石线交叉组成的方形线网上，从而将该硅棒切割成细长的硅芯。其优点十分明显，10-12小时可以切割出200根左右2米长的7X7或8X8毫米的方形硅芯，电力消耗小，加工效率高。

数控多晶硅硅芯多线切割机床由机床立柱、底座、口字型切割导轮组件、工作台升降机构、工件装载夹持装置和收放线绕线张力控制机构等几大部分组成，其中口字型切割导轮组件由四个绕线轮相互绕线而成，由于生产过程中绕线轮容易磨损，因此现场通常需要准备多个绕线轮备用。目前现场备用的绕线轮堆放杂乱，不仅占据大量空间，而且绕线轮容易损坏，另外对安全生产也造成了影响。

发明内容

本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种绕线轮搁架，它能够将现场的备用绕线轮有序存放，不仅节约了空间，而且能够有效防止绕线轮损坏，同时也保障了生产的安全性。

本实用新型的目的是这样实现的：一种绕线轮搁架，它包括上层搁架和下层搁架，所述上层搁架包括左右两个竖档，所述竖档上下两端底部设置有支腿，所述竖档上下两端顶部设置有限位角钢，所述左右两个竖档之间设置有多个第一横档，所述第一横档上设置有多个第一支撑板，所述下层搁架包括左右两个支撑边框，所述左右两个支撑边框顶部之间设置有多个第二横档，所述第二横档上设置有多个第二支撑板，所述左右两个支撑边框前后两侧之间设置有加强横档，所述加强横档位于第二横档下方，所述左右两个支撑边框设置于左右两个竖档上。

所述第一支撑板和第二支撑板上开设有弧形卡槽。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型一种绕线轮搁架，它能够将现场的备用绕线轮有序存放，不仅节约了空间，而且能够有效防止绕线轮损坏，同时也保障了生产的安全性。

附图说明

图1为本实用新型一种绕线轮搁架的上层搁架的结构示意图。

图2为本实用新型一种绕线轮搁架的下层搁架的结构示意图。

其中：

上层搁架1

竖档1.1

第一横档1.2

支腿1.3

限位角钢1.4

第一支撑板1.5

下层搁架2

支撑边框2.1

第二横档2.2

第二支撑板2.3

加强横档2.4。

具体实施方式

参见图1、图2，本实用新型一种绕线轮搁架，它包括上层搁架1和下层搁架2，所述上层搁架1包括左右两个竖档1.1，所述竖档1.1上下两端底部设置有支腿1.3，所述竖档1.1上下两端顶部设置有限位角钢1.4，所述左右两个竖档1.1之间设置有多个第一横档1.2，所述第一横档1.2上设置有多个第一支撑板1.5，所述下层搁架2包括左右两个支撑边框2.1，所述左右两个支撑边框2.1顶部之间设置有多个第二横档2.2，所述第二横档2.2上设置有多个第二支撑板2.3，所述左右两个支撑边框2.1前后两侧之间设置有加强横档2.4，所述加强横档2.4位于第二横档2.2下方，所述左右两个支撑边框2.2设置于左右两个竖档1.1上。

所述第一支撑板1.5和第二支撑板2.3上开设有弧形卡槽。