[实用新型]一种具有高线性度的MOS开关有效

专利信息
申请号: 201520237095.9 申请日: 2015-04-17
公开(公告)号: CN204442347U 公开(公告)日: 2015-07-01
发明(设计)人: 邹睿 申请(专利权)人: 上海工程技术大学
主分类号: H03M1/12 分类号: H03M1/12
代理公司: 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人: 何葆芳
地址: 201620 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 线性 mos 开关
【权利要求书】:

1.一种具有高线性度的MOS开关,其特征在于,包括:五个辅助开关S1、S2、S3、S4、S5,一个电容C和一个主开关管M1;其中:辅助开关S1分别与主开关管M1的源极和电容C的A端相连接,辅助开关S2分别与主开关管M1的栅极和电容C的B端相连接,辅助开关S3分别与地电压VSS和电容C的A端相连接,辅助开关S4分别与电源电压VDD和电容C的B端相连接,辅助开关S5分别与主开关管M1的栅极和地电压VSS相连接,且主开关管M1的源极与输入电压相连接,主开关管M1的漏极与输出电压相连接。

2.根据权利要求1所述的MOS开关,其特征在于:所述的辅助开关均为NMOS管。

3.根据权利要求2所述的MOS开关,其特征在于:辅助开关S1的源极与主开关管M1的源极相连接,辅助开关S1的漏极与电容C的A端相连接;辅助开关S2的源极与主开关管M1的栅极相连接,辅助开关S2的漏极与电容C的B端相连接;辅助开关S3的漏极与地电压VSS相连接,辅助开关S3的源极与电容C的A端相连接;辅助开关S4的漏极与电源电压VDD相连接,辅助开关S4的源极与电容C的B端相连接;辅助开关S5的源极与主开关管M1的栅极相连接,辅助开关S5的漏极与地电压VSS相连接。

4.根据权利要求3所述的MOS开关,其特征在于:辅助开关S1和S2的栅极均与第一时钟信号相连接,辅助开关S3、S4和S5的栅极均与第二时钟信号相连接;所述第一时钟信号与第二时钟信号为相反信号。

5.根据权利要求4所述的MOS开关,其特征在于:所述第二时钟信号是由第一时钟信号串接反相器得到。

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