[实用新型]快速切换半导体器件老化和测试状态装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种采用电子电路控制能够快速关断半导体器件在老化过程中的工作电流的装置，属于半导体器件老化测试的专用设备技术领域。

背景技术

厂家通常需要对生产出来的半导体器件进行老化试验，以便得到半导体器件的老化参数。在厂家对生产出来的半导体器件进行抽样加速老化试验时，要得知半导体器件的老化工作条件。其中包含半导体器件在老化试验停止时，瞬间切换到测试状态下的PN结电压。为了尽可能地得知半导体器件在老化时的PN结工作状态，这就要求半导体器件从老化状态切换到测试状态的时间越短越好。因此，亟待开发出一种迅速、简便、合理的在半导体器件老化状态和测试状态之间切换的装置。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是向国内各个半导体器件生产商以及研究单位和类似用途的实验室提供一种适用于快速切换半导体器件老化状态和测试状态的专用设备。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为快速切换半导体器件老化和测试状态装置，该装置包括机箱1、测量端子组a2、老化供电端子组a3、切换触发口4、装置供电输入耦合器5、装置开关按键6以及内部控制电路；所述内部控制电路设置在机箱1内的衬板上，内部控制电路包括输入耦合器接线端子7、50V直流电源8、15V直流电源9、开关测试电路PCB板10；开关测试电路PCB板包括开关模块11、测试模块12。

开关模块11包括MOS组13、老化供电端子组b14、测量端子组b15、50V供电端子16；测试模块12包括±15V供电端子17、测试电流输出端子18、电源滤波电容组19、OP07运放组20。

机箱1的前面板上为测量端子组2、老化供电端子组3两个区。

测量端子组a2包括测量端子C2.1、测量端子B2.2、测量端子E2.3，其分别对应连接老化电路中半导体晶体管集电极、基极、发射极，测量端子组2在机箱1内部与PCB板上的三个测量端子组b15相连。

老化供电端子组a3包括老化供电端子U3.1、老化供电端子I3.2，分别对应连接老化电路中半导体晶体管的基极和集电极，老化供电端子a3在机箱1内部与开关测试电路PCB板12上两个老化供电端子组b14相连。

机箱1的前面板上还设有切换触发口4。

机箱1的后面板设有一个电源输入耦合器5，一个装置开关按键6。

电源输入耦合器5内置电源滤波，在机箱1内部通过输入耦合器接线端子7与50V直流电源8、15V直流电源9连接，用以开关测试电路PCB板10上不同模块的供电。

所述装置开关按键6用以控制装置电路的开断。外部可设电源2400提供3.3V电压信号通过切换触发口4连接到开关模块11的switch输入端，控制MOS组13的沟道关断。此时断开半导体器件的老化电路。同时，测试电流从测试模块12的测试电流输出端子18流出，流进外部老化电路中的半导体晶体管的基极，电流通过BE结流回测试模块12的回路。此时，完成半导体器件从老化状态切换到测试状态。

本实用新型与现有技术相比，具有以下明显的优势和有益效果：

本实用新型快速切换半导体器件老化和测试状态装置，采用电子控制方式断电，能够快速地保证被测器具在瞬间完成状态的切换，确保试验符合标准要求，操作简单、准确、重复性好，测试效率和准确性都得到大幅提高。

附图说明

图1是本实用新型设备前面板图。

图2是本实用新型设备后面板图。

图3是本实用新型设备机箱内部电路图。

图4是本实用新型设备控制电路结构图。

图5是MOS组的电路图。

图6是老化供电端子组b的电路图。

图7是测量端子组b的电路图。

图8是50V供电端子的电路图。

图9是±15V供电端子的电路图。

图10是测试电流输出端子的电路图。

图11是电源滤波电容组的电路图。

图12是OP07运放组的电路图。