[实用新型]一种LED测试系统

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体制造技术领域，具体涉及一种LED测试系统。

背景技术

随着发光二极管（LED）应用的越来越广泛，进一步提高其良率和品质已成为业界的研究重点。目前，传统LED测试系统采用点红墨方式来标记光电性参数NG（不合格）的芯粒，进而利用分选机将点红墨的芯粒挑除，剩余光电性OK（合格）芯粒，出货给客户。但是，点红墨方式所采用的墨针存在积墨后滴墨的问题，会导致LED晶圆片部分区域芯粒受到污染，影响芯片良率；以及在点红墨时存在溢墨问题，导致光电性NG芯粒周围的芯粒受污染，从而导致本来光电性OK的芯粒漏电，而如果溢红墨至光电性OK芯粒的面积较少时，分选机区分时可能存在漏挑除问题，会导致异常芯粒流向客户端，因此不仅影响芯片良率，而且可能会引起客诉；此外，点红墨探针可能会堵塞，导致光电性NG芯粒未被点上红墨，分选时被误判为OK芯粒，流向客户端引起客诉。所以，传统方式不仅影响良率，而且影响品质。因此，有必要设计一种新型的LED测试系统来避免以上问题。

发明内容

本实用新型的目的为：避免目前传统点红墨探针测试系统所可能造成的良率损失和品质问题而设计了一种新型的LED测试系统。

一种LED测试系统，包括至少具有一只点测探针的光侦测系统和至少具有一只标记探针的判定系统。要求所述点测探针的针头面积S1小于等于所测试LED芯粒的电极面积S2的1/4，所述标记探针的针头面积S3大于所测试LED芯粒的电极面积S2的1/4且小于所测试LED芯粒的整个面积S4。

所述点测探针用于点测LED芯粒，点测探针的个数≥1，所点测LED芯粒的区域为LED芯粒电极。

所述光侦测系统用于获取经点测探针所点测LED芯粒的光电性参数。

所述判定系统用于判定经光侦测系统所获取LED芯粒的光电性参数为OK或NG。

所述标记探针用于标记经判定系统判定光电性参数NG的芯粒，标记探针的个数≥1。

所述标记探针标记NG芯粒的方式为点或刮或压或其任意组合。

所述标记探针标记NG芯粒的区域为芯粒电极或/和芯粒发光区。

所述标记探针针痕点/刮/压伤光电性参数NG芯粒标记面积明显大于光电性参数OK芯粒的所点测探针点测的针痕面积，分选机台通过比较面积大小来区分好坏芯粒。

本实用新型所述LED测试系统至少包括以下技术效果：可以有效避免传统点红墨探针测试系统所可能造成的良率损失和品质风险；同时，可采用多针点测或/和多针标记来提高LED测试系统的工作效率。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。此外，附图是描述概要，不是按比例绘制。

图1为实施例所提供的LED测试系统示意图。

图2为实施例所提供的LED测试系统中探针及LED芯粒示意图。

图中标示：100：载片台；101：LED晶圆片；102：点测探针；103：标记探针；104：光侦测系统；105：判定系统；106：LED芯粒。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型公开的一种LED测试系统的优选实施例进行更详细的描述。

如图1和图2所示，本实用新型所设计的LED测试系统，用以测试位于载片台100上的LED 晶圆片101的多个LED芯粒，由包括至少具有一只点测探针102的光侦测系统104和至少具有一只标记探针103的判定系统105组成。

其中所述点测探针102的针头面积S1小于等于所测试LED晶圆片101中LED芯粒106的电极面积S2的1/4，所述标记探103针的针头面积S3大于所测试LED晶圆片101中LED芯粒106的电极面积S2的1/4且小于所测试LED晶圆片101中LED芯粒106的整个面积S4。

所述点测探针102的个数至少1个，所述标记探针103的个数至少1个，可采用多针点测或/和多针标记来提高本LED测试系统的工作效率。

首先，采用所述点测探针102用于点测LED芯粒，所点测LED芯粒的区域为芯粒电极S2。

其次，经过光侦测系统104来获取经点测探针102所点测LED芯粒的光电性参数。

之后，经过判定系统105来判定经光侦测系统104所获取LED芯粒的光电性参数为OK或NG。