[实用新型]一种倒装LED芯片

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括蓝宝石衬底、n型GaN层、量子阱MWQ层、p型GaN层、Si基板、焊接层、反射层、过渡层和欧姆电极，所述n型GaN层、量子阱MWQ层和p型GaN层分别依次设置于蓝宝石衬底上，所述焊接层包括第一焊接层和第二焊接层，所述欧姆电极包括n型电极和p型电极，所述n型GaN层远离蓝宝石衬底的一面包括第一表面和第二表面，所述量子阱MWQ层和p型GaN层依次设置于第一表面上，所述p型电极设置于p型GaN层上并通过第一焊接层与Si基板连接，所述n型电极设置于第二表面上并通过第二焊接层与Si基板连接，所述蓝宝石衬底远离n型GaN层的一面具有粗化结构，所述Si基板与第一焊接层、第二焊接层之间分别设有反射层，所述过渡层设置于反射层与第一焊接层之间。

2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射层的材质为Ag或Al，所述过渡层为AlN过渡层。

3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述粗化结构为表面具有倒梯形、倒锥形或倒三角形的凸起。

4.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述蓝宝石衬底与n型GaN层之间设有缓冲层。

5.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片的长宽比为1:2-3。

6.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述量子阱MWQ层与p型GaN层之间设有隔离层，所述隔离层为SiO₂和Ti₃O₅交替形成的叠层，所述叠层的数目为2-18。