[实用新型]一种LED红光封装结构

说明书

技术领域

本实用新型一种LED红光封装结构，属于LED封装技术领域。

背景技术

传统LED封装形式为单纯芯片封装，即对芯片起到简单放大作用，不改变芯片本身电性参数。故封装成品电性参数完全取决于所选择封装的芯片。

在此封装形式下，一般LED红光封装结构成品正向电压基本取决于红光芯片自身正向电压，电压分布为1.8～2.4V，低于LED蓝、绿芯片2.8～3.6V区间，在应用端须增加电阻贴片工序，或在恒压驱动下红光须串接电阻才能正常使用，可靠性和经济性差。

实用新型内容

本实用新型克服了现有技术存在的不足，提供了一种在不改变现有封装流程的情况下，直接在封装体内串接一齐纳二极管，从而保证成品正向电压分布在2.8～3.6V之间的LED红光封装结构。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：一种LED红光封装结构，包括红光芯片和封装本体，所述红光芯片设置在封装本体内，还包括齐纳管，所述齐纳管设置在封装本体上，并与红光芯片串联在一起，所述LED红光封装结构封装成品的输入电压为2.8～3.6V。

优选地，所述红光芯片和齐纳管的极性相反。

优选地，所述红光芯片与齐纳管之间以一引线联接彼此金属焊垫。

优选地，所述红光芯片与齐纳管的底部均以导电胶与封装本体的功能区结合。

本实用新型与现有技术相比具有的有益效果是：本实用新型鉴于LED红光芯片电压分布于1.8～2.4V之间，低于LED蓝、绿芯片2.8～3.6V区间，在封装成品使用过程红光单独增加电阻或其他方式来保证其可与LED蓝、绿混用，解决了红光芯片与蓝、绿芯片电压压降不一问题，方便应用端应用。

附图说明

下面结合附图对本实用新型做进一步的说明。

图1为本实用新型的结构示意图。

图中，1为红光芯片、2为封装本体、3为齐纳管。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型一种LED红光封装结构，包括红光芯片1和封装本体2，所述红光芯片1设置在封装本体2内，还包括齐纳管3，所述齐纳管3设置在封装本体2上，并与红光芯片1串联在一起，所述LED红光封装结构封装成品的输入电压为2.8～3.6V。

所述红光芯片1和齐纳管3的极性相反。

所述红光芯片1与齐纳管3之间以一引线联接彼此金属焊垫。

所述红光芯片1与齐纳管3的底部均以导电胶与封装本体2的功能区结合。

本实用新型鉴于LED红光芯片电压分布于1.8～2.4V之间，低于LED蓝、绿芯片2.8～3.6V区间，故在封装成品使用过程红光单独增加电阻或其他方式来保证其可与LED蓝、绿混用，本实用新型封装结构旨在解决红光芯片与蓝、绿芯片电压压降不一问题，方便应用端应用。

本实用新型封装结构在内部加装一齐纳管与红光芯片串接，保证成品电压分布在2.8～3.6V。

具体地，本实用新型的连接要求为：

1、要求红光芯片1与齐纳管3极性相反；

2、封装成品电压分布2.8～3.6V；

3、红光芯片1与齐纳管3以一引线联接彼此金属焊垫；

4、红光芯片1与齐纳管3底部以导电胶与支架功能区结合；

上面结合附图对本实用新型的实施例作了详细说明，但是本实用新型并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。