[实用新型]一种具有表面粗化结构的三结GaAs太阳电池有效
| 申请号: | 201520183810.5 | 申请日: | 2015-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN204596812U | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
| 发明(设计)人: | 李俊承;韩效亚;杨凯;林洪亮;徐培强;白继峰;张双翔;王英 | 申请(专利权)人: | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
| 地址: | 225009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 表面 结构 gaas 太阳电池 | ||
【权利要求书】:
1.一种具有表面粗化结构的三结GaAs太阳电池,在Si衬底一侧设置背电极,在Si衬底另一侧通过接触层设置由底电池、中电池和顶电池构成的外延片,主电极通过图形化的接触层设置在顶电池上,其特征在于在外延片的顶电池外设置表面粗化层,在表面粗化层上设置减反射膜。
2.根据权利要求1所述具有表面粗化结构的三结GaAs太阳电池,其特征在于所述表面粗化层的上表面为若干的金字塔形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





