[实用新型]射频发射装置、射频接收装置、射频收发装置及终端

说明书

技术领域

本实用新型涉及移动通信领域，尤其涉及一种射频发射装置、射频接收装置、射频收发装置及终端。

背景技术

LTE(Long Term Evolution，长期演进)多模双卡终端目前是主要针对许多有特殊需求的用户群，现已经成为主流的LTE终端，特别是在许多终端厂商的LTE旗舰机或者高端机型上，多模双卡双通已经成为终端的标配。

LTE双卡双通终端是指具备双卡槽(卡槽1和卡槽2)，同一时刻两张用户卡可同时提供话音业务并发能力的设备，即：当一张用户卡的语音业务正在进行时，另一张用户卡仍可正常拨打或者接听来自GSM或TD-SCDMA或WCDMA网络的话音业务。主卡需支持TD-LTE/LTE FDD/WCDMA(HSPA)/TD-SCDMA(TD-HSPA)/GSM(GPRS/EDGE)；副卡需支持GSM/GPRS/EDGE模式。

LTE双卡双通终端在同一时刻两张用户卡同时提供业务并发时会同时存在互扰问题。存在的互扰具体情况如表1所示：

表1

针对以上问题，业界终端芯片平台厂商和终端厂商通常采用的硬件方案涉及的LTE多模双卡双通射频硬件收发通路框图如图1所示，目前硬件方案中,GSM850和GSM900发射通路功放后端一般放置低通滤波器，GSM1800和GSM1900发射通路功放后端一般放置陷波器(目的是针对在Band39接收带内杂散的抑制)+低通滤波器，看以看出，目前仅针对LTE双卡双通终端中副卡工作于GSM B3频段而主卡工作于TD-SCDMA/LTE Band34/39有解决方案外，其它双卡双通共存场景没有任何硬件通路给予解决。

另外，现有技术中对于GSM发射通路功放后端，GSM850和GSM900频段通路一般放置低通滤波器，GSM1800和GSM1900通路一般放置陷波器(仅针对Band39抑制)+低通滤波器，但是，低通滤波器对本通路主频以外的频段抑制不能满足共存要求。目前业界采用的方案措施有：LTE多模双卡双通大都是通过增加双卡天线之间隔离度，另外采用软件措施例如发射功率回退来改善。

基于现有技术可知，LTE多模双卡双通大都是通过增加双卡主天线之间隔离来降低双卡双通由于互扰而带来的接收灵敏度的恶化，但是由于双卡主天线之间隔离提升有限，不足以抑制双卡双通互扰，导致使用中仍然存在双卡双通共存互扰，另外，采用软件措施例如功率回退来改善，容易导致弱信号区域情况更加恶化(例如双卡都会存在同时掉话现象)，都未从根本上解决双卡双通共存互扰问题。

实用新型内容

有鉴于此，为解决现有存在的技术问题，本实用新型实施例提供：

一种射频发射装置，包括：射频芯片、功率放大单元、调整单元和天线；其中，所述功率放大单元包括至少一个功率放大器，所述调整单元包括至少一个双工器，所述射频芯片依次通过功率放大器、双工器连接至天线。

一具体实施例中，该装置还包括开关，所述双工器通过所述开关与所述天线连接。

一种射频接收装置，包括：射频芯片、调整单元和天线；其中，所述调整单元包括至少一个双工器，所述射频芯片通过双工器连接至天线。

一具体实施例中，该装置还包括开关，所述双工器通过所述开关与所述天线连接。

一种射频收发装置，包括射频发射装置和射频接收装置，其中，

所述射频发射装置为上述的射频发射装置；

所述射频接收装置为上述的射频接收装置。

一种终端，包括第一射频收发装置和第二射频收发装置；其中，所述第一射频收发装置和/或第二射频收发装置为上述的射频收发装置，第一射频收发装置中的射频芯片为第一射频芯片，第二射频收发装置中的射频芯片为第二射频芯片，所述第一射频芯片和所述第二射频芯片支持不同的通信模式。

本实用新型一种射频发射装置、射频接收装置、射频收发装置及终端，采用双工器替代当前常用的发射通路中的陷波器+低通滤波器，以及替代当前常用的接收通路中的带通滤波器，减少了射频收发通路射频前端器件数量，同时能解决双卡双通中由于发射带外杂散而带来的互扰问题，且不会导致弱信号区域情况恶化，进而避免掉话现象。

附图说明

图1为相关技术中LTE多模双卡双通射频硬件收发通路框图；

图2为本实用新型实施例一种射频发射装置结构示意图；

图3为本实用新型实施例再一种射频发射装置结构示意图；

图4为本实用新型实施例一种射频接收装置结构示意图；