[实用新型]积层陶瓷电子组件装置有效

专利信息
申请号: 201520171510.5 申请日: 2015-03-25
公开(公告)号: CN204695967U 公开(公告)日: 2015-10-07
发明(设计)人: 孙思隆;黄泓谋;凌溢骏 申请(专利权)人: 禾伸堂企业股份有限公司
主分类号: H01G4/38 分类号: H01G4/38;H01G4/248
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 电子 组件 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型提供一种积层陶瓷电子组件装置,尤指可通过低温黏着、接合方式成型的积层陶瓷电子组件,将积层陶瓷芯片二侧电极接合面分别通过高分子导电黏胶、黏着固定于二导电架的接合侧相对内表面间,达到不必进行高温焊接、不致造成积层陶瓷龟裂、损坏的目的。

背景技术

现今电子产品及其周边相关的电子设备均需使用到主动组件与被动组件,其中,主动组件(如IC或CPU)可单独执行运算处理功能,而被动组件则是相对于主动组件在进行电流或电压改变时,使其电阻或阻抗不会随的改变的组件,一般为以电阻(Resistor)、电容(Capacitor)与电感(Inductor)合称作三大被动组件,然而,就以功能而言,电容器是以静电模式储存电荷,且可在预定的时间内将电能释放或是作为滤波、旁波协调使用;而被动组件的生产已朝向芯片化发展的趋势,随着集成电路高性能化和高密度化的发展趋势,再加上高速组装功能的表面黏着技术(Surface Mounting Technology;SMT)开发,促使许多电子组件逐渐改以芯片型表面黏着(SMT)取代传统插件型(Through Hole)的焊接方式,因此,芯片化的被动组件需求亦快速提升,使其要求尺寸也愈來愈小,至于电容器为由二导电物质间以极薄的介质屏蔽隔离,并可将静电储存于其导电物质上而达成储存电荷、旁路、滤波、调谐及震荡等功能;且陶瓷电容器又可分为单层及积层陶瓷电容器(Multi-Layer Ceramic Capacitor,MLCC),其中,积层陶瓷电容器为具有介电数高、绝缘度好、耐热佳、体积小、适合量产且稳定性及可靠度良好等特性,并因积层陶瓷电容器耐高电压和高热、运作温度范围广的优点,再加上芯片化的积层陶瓷电容器可通过表面黏着技术(SMT)直接焊接,生产制造的速度与数量亦较电解电容器、钽质电容器来得快许多,而使积层陶瓷电容器成为电容器产业的主流,更为电子产品日益朝小型化及多功能发展趋势下受到广泛且大量的使用。

但一般积层陶瓷电容经过表面黏着技术定位在电路板上,将积层陶瓷电容平贴固定于电路板表面,则随着电路板的应用产生弯曲、变形等情况时,亦将导致积层陶瓷电容受到电路板的影响而龟裂、损坏,且积层陶瓷电容通过表面黏着技术焊固在电部板表面时,也容易因焊接时的高温现象,造成积层陶瓷电容承受不住焊接的高温而龟裂,以致积层陶瓷电容在实际应用时,存在诸多的缺失与困扰。

而有业者利用积层陶瓷电容二侧电极位置,通过高温焊接作业方式、分别焊设有支撑脚架,以供积层陶瓷电容形成垫高状,当积层陶瓷电容焊设于电路板时,保持积层陶瓷电容与电路板间形成适当的间距,则电路板应用时所产生弯曲或变形的现象等,亦不致影响积层陶瓷电容破裂,虽可供解决积层陶瓷电容以表面黏着技术焊接平贴在电路板上产生的缺失,然,积层陶瓷电容二侧电极位置焊接支撑脚架时,通过高温融熔焊锡的焊接工艺作业,所需的焊接温度大都高于摄氏300℃、焊接作业进行时必须考虑积层陶瓷电容耐冷热冲击的能力,若是焊接作业升温速率过快,积层陶瓷电容必将无法承受焊接作业的快速升温而形成破裂、损坏等现象,更导致产品得不合格率提高,若是焊接作业升温速率过慢,相对助焊剂将四处流动,污染相关作业工具,此外,高温焊接也易对于环境、空气也造成污染;而通过高温融熔焊锡的焊接作业将积层陶瓷电容焊接于二支撑接脚间,则会因焊接作业时焊料、助焊剂(Flux)飞溅、喷洒,在积层陶瓷电容周围产生许多助焊剂、焊锡等的焊渣、碎屑等,在焊接作业完成后,则必须再进行清洗周围所残留的助焊剂(Flux)、焊锡等的焊渣、碎屑,以致积层陶瓷电容的焊接工艺作业相当耗时、费工,而清洗时用清洗剂、清水等,也会造成环境水源的污染,且传统高温焊接作业所使用的焊料、助焊剂等,都含有84%~94%的金属(如铅、铜、锡、银等)及卤素元素[如氯(Cl2)、溴(Br2)、碘(I2)或砈(At)等]≧900(ppm)成分,更含有重金属[如铅(Pb)及汞(Hg)等],对于环境产生严重的污染。

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