[实用新型]一种双向超低压DC/DC变换器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种变换器，尤其是涉及一种双向超低压DC/DC变换器。

背景技术

双向超低压DC/DC变换器是能量回馈型电池测试系统的重要组成部分，双向超低压DC/DC变换器充、放电的电压范围直接影响能量回馈型电池测试系统的精度。如图1所示，现有的双向DC/DC变换器通常包括双向电源V1、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2和隔离变压器T1，双向电源的正极和第一NMOS管M1的漏极连接，双向电源V1的负极和第二NMOS管M2的源极连接且其连接端为双向DC/DC变换器的负极输出端，第一NMOS管M1的源极、第二NMOS管M2的漏极和隔离变压器T1的一端连接，隔离变压器T1的另一端为双向DC/DC变换器的正极输出端。

现有的双向超低压DC/DC变换器存在以下问题：在测试时，待测电池V2的正极与双向超低压DC/DC变换器的正极输出端连接，待测电池V2的负极与双向DC/DC变换器的负极输出端连接，待测电池V2、双向电源V1、第一NMOS管M1和隔离变压器T1形成充电回路，双向电源V1对待测电池充电；待测电池V2、隔离变压器T1和第二NMOS管M2形成放电回路，待测电池V2放电；当待测电池V2放电至其电压小于第二NMOS管M2的导通电压时，第二NMOS管M2截止，放电回路断开，待测电池V2无法继续放电至零，测试精度较差。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种可使待测电池放电至零，测试精度较高的双向超低压DC/DC变换器。

本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种双向超低压DC/DC变换器，包括双向电源、第一NMOS管、第二NMOS管和隔离变压器，所述的双向电源的正极和所述的第一NMOS管的漏极连接，所述的双向电源的负极和所述的第二NMOS管的源极连接，所述的第一NMOS管的源极、所述的第二NMOS管的漏极和所述的隔离变压器的一端连接，所述的隔离变压器的另一端为所述的双向超低压DC/DC变换器的正极输出端，所述的双向超低压DC/DC变换器还包括第三NMOS管和第四NMOS管，所述的第三NMOS管的漏极和所述的双向电源的正极连接，所述的第三NMOS管的源极和所述的第四NMOS管的漏极连接且其连接端为双向超低压DC/DC变换器的负极输出端，所述的第四NMOS管的源极和所述的双相电源的负极连接。

所述的双向电源包括AC/DC电源转换器和DC/AC电源转换器。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于通过设置的第三NMOS管和第四NMOS管，在测试时，待测电池的正极与双向超低压DC/DC变换器的正极输出端连接，待测电池的负极与双向超低压DC/DC变换器的负极输出端连接，待测电池、双向电源、第一NMOS管、隔离变压器和第四NMOS管形成充电回路，待测电池、隔离变压器、双向电源、第二NMOS管和第三NMOS管形成放电回路，在放电回路中，双向电源和待测电池串联形成放电回路的电源，而且双向电源的电压远大于待测电池的电压，双向电源保证第二NMOS管和第三NMOS管两端的电压不小于其导通电压，由此在待测电池放电过程中，放电回路为通路，待测电池可放电至零，测试精度较高。

附图说明

图1为现有的双向超低压DC/DC变换器的电路图；

图2为本实用新型的双向超低压DC/DC变换器的电路图。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。

实施例：如图2所示，一种双向超低压DC/DC变换器，包括双向电源V1、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2和隔离变压器T1，双向电源V1的正极和第一NMOS管M1的漏极连接，双向电源V1的负极和第二NMOS管M2的源极连接，第一NMOS管M1的源极、第二NMOS管M2的漏极和隔离变压器T1的一端连接，隔离变压器T1的另一端为双向超低压DC/DC变换器的正极输出端，双向超低压DC/DC变换器还包括第三NMOS管M3和第四NMOS管M4，第三NMOS管M3的漏极和双向电源V1的正极连接，第三NMOS管M3的源极和第四NMOS管M4的漏极连接且其连接端为双向超低压DC/DC变换器的负极输出端，第四NMOS管M4的源极和双相电源的负极连接。

本实施例中，双向电源V1包括AC/DC电源转换器和DC/AC电源转换器。

本实施例的双向超低压DC/DC变换器的工作原理为：

在充电测试时，双向电源V1正极通过第一NMOS管M1、隔离变压器T1、待测电池V2的正极，待测电池V2的负极与第四NMOS管M4、双向电源V1负极形成充电回路；

在放电测试时，待测电池V2、隔离变压器T1、第二NMOS管M2、双向电源V1负极、双向电源V1正极、第三NMOS管M3形成放电回路，在放电回路中，双向电源V1和待测电池V2串联形成放电回路的电源，而且双向电源V1的电压远大于待测电池V2的电压，双向电源V1保证第二NMOS管M2和第三NMOS管M3两端的电压不小于其导通电压，由此在待测电池V2放电过程中，放电回路一直为通路，待测电池V2可放电至零，测试精度较高。