[实用新型]晶圆固定装置和气相沉积装置有效
| 申请号： | 201520163080.2 | 申请日： | 2015-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN204424238U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 罗德胜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固定 装置 和气 沉积 | ||
1.一种晶圆固定装置，其特征在于：包括晶圆吸盘和圈体，所述晶圆吸盘上设置有至少四个对称分布的卡合部，所述圈体上设置有与所述卡合部相配合的卡合配合部。
2.如权利要求1所述的晶圆固定装置，其特征在于：所述晶圆吸盘包括一平台以及设置于所述平台中心部位的凸台，所述凸台和所述圈体相配合。
3.如权利要求2所述的晶圆固定装置，其特征在于：所述至少四个卡合部的形状和尺寸相同。
4.如权利要求2所述的晶圆固定装置，其特征在于：所述至少四个卡合部的形状相同，但是其中一个卡合部的尺寸与其余卡合部的尺寸不同。
5.如权利要求2所述的晶圆固定装置，其特征在于：所述至少四个卡合部中，其中一个卡合部的形状与其余卡合部的形状不同。
6.如权利要求2至5中任一项所述的晶圆固定装置，其特征在于：所述卡合部为凸起，所述卡合配合部为通孔，所述凸起与所述通孔相互卡接。
7.如权利要求3所述的晶圆固定装置，其特征在于：所述凸台的侧壁上设置有第一斜切面，所述圈体的内壁上设置有与所述第一斜切面相配合的第二斜切面。
8.如权利要求3所述的晶圆固定装置，其特征在于：所述凸台的侧壁上设置有延伸部，所述圈体的内壁上设置有与所述延伸部相配合的凹槽。
9.如权利要求6所述的晶圆固定装置，其特征在于：所述凸起设置于所述平台的外周边沿。
10.如权利要求6所述的晶圆固定装置，其特征在于：所述凸起和所述通孔间的配合间隙，与所述凸台和所述圈体间的配合间隙相同。
11.如权利要求6所述的晶圆固定装置，其特征在于：所述凸起和所述通孔平行于所述平台的横截面采用圆心角为90°～180°的扇形。
12.如权利要求6所述的晶圆固定装置，其特征在于：所述通孔的深度比所述凸起的高度大0.5mm～1.0mm。
13.如权利要求10所述的晶圆固定装置，其特征在于：所述凸起和所述通孔的配合间隙为0.05mm～0.1mm。
14.一种气相沉积装置，其特征在于：包括真空腔体以及如权利要求1至13中任一项所述的晶圆固定装置，所述晶圆固定装置设置于所述真空腔体内。
15.如权利要求14所述的气相沉积装置，其特征在于：所述气相沉积装置为高密度等离子体化学气相沉积装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
