[实用新型]一种交流输入过压保护电路有效

专利信息
申请号: 201520161421.2 申请日: 2015-03-20
公开(公告)号: CN204441854U 公开(公告)日: 2015-07-01
发明(设计)人: 曲海英;刘杰;崔永薇 申请(专利权)人: 北京益弘泰科技发展有限责任公司
主分类号: H02H3/20 分类号: H02H3/20
代理公司: 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 代理人: 蔡智
地址: 100095 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 交流 输入 保护 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型属于电源设备技术领域,尤其涉及一种交流输入过压保护电路。

背景技术

当前交流电被广泛运用于通讯设备、电力传输、家庭电器供电等一次设备的供电方面。当输入电压超过用电设备允许的输入电压上限时,就可能损坏用电设备。这就需要我们在输入电压超过用电设备允许的输入电压上限时,能够及时切断输入电压或者关闭电源,以免带来不必要的损坏和危险。但是,现有的用电设备的开关电源一部分并未做输入过压保护设计,一部分只是通过在交流输入端增设过压保护器或保险丝等简单保护元件,在电网有较大幅度的不稳定时很难起到保护的作用,而其他开关电源即使设计了输入过压保护电压也由于成本过高,需要另外的辅助供电电源、用MCU控制、设计复杂而难以推广应用。

实用新型内容

本实用新型在于提供一种交流输入过压保护电路,以解决现有技术中的保护电路结构复杂的问题。

一种交流输入过压保护电路,包括:N沟道MOS管、双向晶闸管、第一分压电阻和第二分压电阻;电流源的正极端引出第一线路作为过压保护电路的正输出端;所述电流源的负极端连接所述双向晶闸管的阳极端,所述双向晶闸管的阴极端作为所述过压保护电路的负输出端;所述电流源的正极端还引出驱动所述双向晶闸管的第二线路,与所述双向晶闸管的门极端连接;所述电流源的正极端还引出由第一分压电阻、第二分压电阻和所述MOS管构成的第三线路,所述第三线路中的MOS管的漏极端接入在所述第二线路中,用于在过压情况下,拉低所述第二线路中的电压。

本实用新型中的过压保护电路,具有以下优点:

(1)对于在用电设备正常工作过程中,电网中出现的电压异常波动超出输入电压过压保护点的情况,此电路可以有效地切断输入通道,对用电 设备或开关电源可靠保护。

(2)此电路可以适应很宽的输入电压范围,对于正常工作在110Vac或220Vac的设备当电网的电压达到380Vac时,此保护电路都可以提供正常的保护功能,并且电路的输出与输入是完全一致的正弦波形,没有形变。

(3)可以通过调整电路中器件的耐压等级,达到适应更高的输入过电压值。

(4)在输入高电压状态开机时,输入电路中的控制部分可以快速动作,使输入过压保护电路动作,及时切断输入回路,避免用电设备受冲击损坏。

(5)可以在过电压恢复正常后,用电设备继续正常工作。

附图说明 

图1示出了本实用新型的结构框图。

具体实施方式

以下描述和附图充分地示出本实用新型的具体实施方案,以使本领域的技术人员能够实践它们。其他实施方案可以包括逻辑的、逻辑顺序的以及其它的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求,否则单独的步骤和功能是可选的,并且操作的顺序可以变化。一些实施方案的部分和特征可以被包括在或替换其他实施方案的部分和特征。本实用新型的实施方案的范围包括权利要求书的整个范围,以及权利要求书的所有可获得的等同物,并且如果事实上公开了超过一个的实用新型,不是要自动地限制该应用的范围为任何单个实用新型或实用新型构思。

如图1所示,公开了一种交流输入过压保护电路,包括:N沟道MOS管VM1、双向晶闸管Q1、第一分压电阻R2和第二分压电阻R4;电流源的正极端引出第一线路作为过压保护电路的正输出端;所述电流源的负极端连接所述双向晶闸管Q1的阳极端,所述双向晶闸管Q1的阴极端作为所述过压保护电路的负输出端;所述电流源的正极端还引出驱动所述双向晶闸管Q1的第二线路,与所述双向晶闸管Q1的门极端连接;所述电流源的正极端还引出由第一分压电阻R2、第二分压电阻R4和所述MOS管VM1构成的第三线路,所述第三线路中的MOS管VM1的漏极端接入在所述第二线路中,用于在过压情况下,拉低所述第二线路中的电压。

本实用新型利用简单电子元件构建过压保护电路,避免利用MCU等处理芯片的结构复杂,节约了成本;在输入高电压状态开机时,输入电路中的控制部分可以快速动作,使输入过压保护电路动作,及时切断输入回路,避免用电设备受冲击损坏。在过电压恢复正常后,用电设备继续正常工作。有效的对电源的保护;提高了电源设备的稳定性和安全性。

在一些说明性实施例中,所述的第二线路的结构,具体包括:所述第一分压电阻R2和所述第二分压电阻R4串联,一端连接所述电流源的正极端,另一端连接所述电流源的负极端;所述MOS管VM1的栅极端接在所述第一分压电阻和第二分压电阻之间,所述MOS管VM1的源极端连接所述电流源的负极端。

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