[实用新型]一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射膜有效
| 申请号： | 201520157325.0 | 申请日： | 2015-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN204441294U | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 瞿辉;徐春;曹玉甲;张一源 | 申请（专利权）人： | 江苏顺风光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213169 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pid 抗性 电池 钝化 减反射膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射膜，其特征在于：包括在单晶硅片衬底正面依次沉积的作为底层的第一层SiOx层；作为中间层的第二层SiOx层以及作为顶层的第三层SiNx层；所述的第一层SiOx层、第二层SiOx层以及第三层SiNx层总膜厚为65～120nm；折射率为1.9～2.2；所述的第三层SiNx层为单层或多层SiNx层。
2.如权利要求1所述的一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射膜，其特征在于：所述的第一层SiOx层的膜厚为0.2～2nm，折射率为1.48～1.8。
3.如权利要求1所述的一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射膜，其特征在于：所述的第二层SiOx层的膜厚为2～20nm，折射率为1.4～1.8。
4.如权利要求1所述的一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射膜，其特征在于：所述的第三层SiNx层的膜厚为30～80nm，折射率为1.9～2.2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
