[实用新型]低成本MWT太阳电池封装组件有效
| 申请号: | 201520156134.2 | 申请日: | 2015-03-19 |
| 公开(公告)号: | CN204424281U | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
| 发明(设计)人: | 刘兴翀;魏欣;魏泽忠 | 申请(专利权)人: | 成都格莱飞科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;H01L31/05 |
| 代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
| 地址: | 610041 四川省成都市高新区天*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 低成本 mwt 太阳电池 封装 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池领域,特别是涉及一种低成本MWT太阳电池封装组件。
背景技术
近来,MWT 太阳电池的研发已取得巨大成功,其正面遮光比常规电池少,转换效率更高,还可以兼容选择性发射极和背面钝化技术,因此被认为是未来太阳电池发展的趋势。
目前MWT 太阳电池采用价格昂贵的铜箔背板进行封装,这从一定程度上蚕食了MWT 太阳电池在电池端带来的优势。铜箔电路背板封装技术,采用与组件面积等大的铜箔刻成电路,用印刷技术在铜箔电路上印刷导电胶,让MWT 太阳电池与铜箔电路精准对应并以导电胶连接电极,最后层压封装而成。在这个过程中,首先背板材料价格昂贵,供应商稀少;其次需要专门的印刷设备印刷导电胶,印刷过程中的耗材金属网版价格昂贵;最后组件放片也需要专门的机械设备,放置EVA 也需要专门的冲孔设备。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种低成本MWT太阳电池封装组件,用石墨烯替代铜箔,采用石墨烯薄膜作为导电背板的导电层,成本低廉。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:低成本MWT太阳电池封装组件,它包括MWT太阳电池组件,MWT太阳电池组件由上而下依次包括:玻璃层、第一EVA薄膜、太阳电池层、穿孔的第二EVA薄膜和穿孔的导电背板,导电背板中的导电层为石墨烯薄膜。
所述的石墨烯薄膜为石墨烯透明导电薄膜。
它还包括框架,MWT太阳电池组件通过密封件固定设置在框架的凹槽中。
所述的密封件同框架的凹槽相匹配,也呈凹型。
所述的导电背板的下面还设有聚氟乙烯薄膜。
所述的第一EVA薄膜和太阳电池层之间还设置有减反射膜。
所述的减反射膜为SiNx薄膜。
所述的框架的底部还设置有接线盒,接线盒与MWT太阳电池组件电性连接。
本实用新型的有益效果是:本实用新型用石墨烯替代铜箔,采用石墨烯薄膜作为导电背板7的导电层,成本低廉。
附图说明
图1为本实用新型低成本MWT太阳电池封装组件的结构图;
图中,1-框架,2-密封件,3-玻璃层,4-第一EVA薄膜,5-太阳电池层,6-第二EVA薄膜,7-导电背板,8-聚氟乙烯薄膜,9-减反射膜,10-接线盒。
具体实施方式
下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案,但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。
如图1所示,低成本MWT太阳电池封装组件,它包括MWT太阳电池组件,MWT太阳电池组件由上而下依次包括:玻璃层3、第一EVA薄膜4、太阳电池层5、穿孔的第二EVA薄膜6和穿孔的导电背板7。
透明EVA薄膜用于耐候、防雾滴和保温。玻璃层3可采用钢化玻璃。
导电背板7中的导电层为石墨烯薄膜。一般的导电背板7采用铜箔作为导电层,其价格高昂,在本实用新型中,利用PECVD制备的石墨烯薄膜通过液体剥离的方式转移到导电背板7基底上。所述的石墨烯薄膜8的厚度为1~50nm。所述的石墨烯薄膜为石墨烯透明导电薄膜。
它还包括框架1,MWT太阳电池组件通过密封件2固定设置在框架1的凹槽中。框架1的底部还设置有接线盒10,接线盒10与MWT太阳电池组件电性连接。框架1一般采用铝材料。框架1的凹槽和框架1的底部之间还设置有支撑杆。
所述的密封件2同框架1的凹槽相匹配,也呈凹型。
所述的导电背板7的下面还设有聚氟乙烯薄膜8。
所述的第一EVA薄膜4和太阳电池层5之间还设置有减反射膜9。
减反射膜9形成减反层,光在减反射膜上、下表面反射所产生的光程差,使得两束反射光干涉相消,从而减弱反射,增加透射,从而也提高了光电转换效率。常用的减反射膜材料有TiO2、SnO2、SiO2、SiNx、ITO和MgF2等,其厚度一般在60~100nm之间。制备方法可采用化学气相沉积法、等离子化学气相沉积法、喷涂热解法、溅射法、蒸发法等多种。所述的减反射膜9可采用氮化硅薄膜,如Si3N4薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





