[实用新型]一种新型SVG柜体结构有效

专利信息
申请号: 201520155999.7 申请日: 2015-03-19
公开(公告)号: CN204424735U 公开(公告)日: 2015-06-24
发明(设计)人: 刘继新;王开青 申请(专利权)人: 山东泰开电力电子有限公司
主分类号: H02B1/30 分类号: H02B1/30;H02B1/32
代理公司: 泰安市泰昌专利事务所 37207 代理人: 陈冰
地址: 271000 山东*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 新型 svg 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及高压静止性无功发生器补偿领域,尤其涉及一种SVG柜体结构。

背景技术

现有技术中,高压无功补偿SVG柜体的基本组成包括启动柜、功率柜、控制屏,三相功率柜体混合布置,每层为一相,每面柜体一次排列;启动柜和功率柜通过电缆连接,三相之间空间大,层间空间浪费严重;功率柜之间的间隔增大了柜体的体积,增加了功率柜的整体占地面积,不利于工程成本降低。

发明内容

为解决以上存在的问题,本实用新型提供了一种布局紧凑、内部各器件安装、检修方便的SVG柜体结构,为实现上述目的,本实用新型通过以下技术方案实现:

包括功率柜、以及分别位于功率柜左右两侧的控制屏和启动柜,功率柜由并排的三相功率柜体组成,相邻两相功率柜体之间设有绝缘板,各相功率柜体之间通过软绝缘电缆连接,功率柜的顶部设有风机和罩在风机外面的保护罩,功率柜内设有均匀排列的功率单元,各功率单元之间通过连接铜排依照“Z”形串接。

所述各功率单元包括壳体、以及分别设于壳体内的IGBT、IGBT用散热器、薄膜电容器和驱动大板,IGBT用散热器位于壳体内的中间位置,IGBT和薄膜电容器分别位于IGBT用散热器的前后两侧,驱动大板位于IGBT用散热器的上部, IGBT和薄膜电容器之间通过复合母排连接。

本实用新型的各功率柜体之间通过绝缘板材隔离后并柜连接,减小了柜体的占地空间需求。布局紧凑,功率单元检修方便,三相功率柜体独立电位连接,便于设备的安全运行。多个紧凑型功率单元位于一个功率柜内,便于安装、运输及调试,采用紧凑型功率单元结构,每部分检修时均不需要对其余部分进行拆除,便于功率单元的生产储备、安装、扩展。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图;

图2为本实用新型任一功率单元的外部结构主视图;

图3为图2中功率单元的内部结构侧视立体图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步的描述。

如图1所示,该结构包括功率柜2、以及分别位于功率柜2左右两侧的控制屏1和启动柜3,功率柜2由并排的三相功率柜体组成,它们左右并柜为一体化结构,相邻两相功率柜体之间设有绝缘板5进行电气隔离,实现了柜体空间的充分利用,各相功率柜体之间通过软绝缘电缆9连接实现封星,进出线之间保证了良好的电气隔离。功率柜2的顶部设有风机6和罩在风机6外面的保护罩7,功率柜2内设有均匀排列的功率单元4,各功率单元4之间通过连接铜排8依照“Z”字形串联连接。

如图2和图3所示,每个功率单元4采用紧凑型环绕式布置,各功率单元4的内部功能元件全部安装在功率单元壳体41内,IGBT用散热器44位于中间位置, IGBT43和薄膜电容器46分别位于IGBT用散热器44的前后两侧位置,驱动大板42位于IGBT用散热器44的上部, IGBT43和薄膜电容器46之间使用复合母排45连接,薄膜电容器46的数量根据设备容量进行调节。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东泰开电力电子有限公司;,未经山东泰开电力电子有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520155999.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top