[实用新型]温度场可控的氮化铝晶体生长装置及工艺

权利要求书

1.温度场可控的氮化铝晶体生长装置，由加热器、保温层、红外测温仪(5)、坩埚(6)和坩埚支架(7)组成，其中，坩埚(6)位于生长装置的中间，由下方的坩埚支架(7)支撑，加热器包括顶加热器(3)、中加热器(4)和底加热器(8)，分别位于坩埚(6)的上方、周围及下方，保温层包括顶保温层(1)、侧保温层(2)和底保温层(9)，位于加热器的外围，且与保温层之间均相互独立，坩埚支架(7)固定于底保温层(9)上方。

2.根据权利要求1所述的生长装置，其特征在于，顶加热器(3)、底加热器(8)与中加热器(4)同轴，且前两者在竖直方向的位置可伸入中加热器(4)内，也可在其外。

3.根据权利要求1所述的生长装置，其特征在于，中加热器(4)为金属材料钨，采用网状或瓦状的圆筒形结构。

4.根据权利要求1所述的生长装置，其特征在于，顶加热器(3)和底加热器(8)为金属材料钨，采用棒状或蚊香盘状的圆盘结构。

5.根据权利要求1所述的生长装置，其特征在于，顶保温层(1)、侧保温层(2)和底保温层(9)均采用金属全反射热屏蔽的方式，其中，靠近坩埚的里面几层均采用金属材料钨，外层可采用金属材料钼或钽。

6.根据权利要求1所述的生长装置，其特征在于，坩埚支架(7)由下部的钨杆和顶端的钨盘组成，其中，钨杆贯穿通过底加热器(8)，钨盘为实心或中央有镂空图案的圆板。

7.根据权利要求1所述的生长装置，其特征在于，红外测温仪(5)的测温位置分别对应于坩埚(6)的外径顶部、中部、底部，同时，并与加热器的功率控制装置相连。

8.根据权利要求1所述的生长装置，其特征在于，可采用上或下出料方式，其中，上出料时，生长装置的顶部电极与外电源采用软线缆相连，且顶保温层(1)随升降系统一起提升出料，下出料时，生长装置的底部电极与外电源采用软线缆相连，且底保温层(9)、坩埚支架(7)和坩埚(6)随升降系统一起下降出料。