[实用新型]一种四相位射频器件有效
| 申请号： | 201520142514.0 | 申请日： | 2015-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN204441427U | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 阎跃军;彭志珊 | 申请（专利权）人： | 深圳市研通高频技术有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/18 | 分类号： | H01P1/18;H01P5/12;H01Q3/34 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 相位 射频 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种四相位射频器件，其包括：晶体芯片，以及制作在该晶体芯片上的巴伦、两个耦合器和两个负载，其特征在于：该巴伦的两个输出端分别与该两个耦合器的输入端相连接，该两个耦合器的隔离端分别接有一个负载。
2.根据权利要求1所述的四相位射频器件，其特征在于：该巴伦的输入端作为本四相位射频器件的输入端，其中一个所述耦合器的直通端、耦合端分别作为该四相位射频器件的两个输出端，另一个所述耦合器的直通端、该耦合器的耦合端作为该四相位射频器件的另外两个输出端，该四相位射频器件相邻的输出端的相位相差90度。
3.根据权利要求1所述的四相位射频器件，其特征在于：耦合器是3dB耦合器。
4.根据权利要求1所述的四相位射频器件，其特征在于：该负载是50欧姆负载。
5.根据权利要求1至4任一项所述的四相位射频器件，其特征在于：该晶体芯片经封装前或封装后的管脚顺序按四个相位大小顺序顺时针或逆时针排列。
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