[实用新型]一种可主动散热的光伏组件有效
申请号: | 201520140146.6 | 申请日: | 2015-03-12 |
公开(公告)号: | CN204577441U | 公开(公告)日: | 2015-08-19 |
发明(设计)人: | 于俊;全鹏;张臻 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;H01L31/052 |
代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 郭小丽 |
地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 主动 散热 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种光伏组件,尤其涉及一种可主动散热的光伏组件,属于太阳能电池组件技术领域。
背景技术
太阳能是一种清洁、可再生能源。由于其环境友好,资源丰富而备受追捧。光伏发电是太阳能利用的主要形式之一,利用太阳能电池将光能直接转换成电能,具有能源质量高、排放污染少等优点。现有技术中,光伏组件主要是由玻璃、EVA、光伏电池片、背板等材料层压而成,在运行过程中,仅依靠组件上、下表面的材料与空气的对流实现散热。在某些应用环境下,组件表面(一般是背面)的空间非常有限,散热效果不佳,从而使光伏组件中光伏电池的工作温度很高,而高温正是光伏组件效率降低的主要影响因素。
发明内容
本实用新型针对现有技术中,光伏组件背板散热不良、影响光伏电池效率的技术问题,提供一种可主动散热的光伏组件,散热效果好,电池转换效率高。
为此,本实用新型采用如下技术方案:
一种可主动散热的光伏组件,由上至下依次包括层叠设置的玻璃层(1)、第一EVA层(2)、光伏电池片层(3)、第二EVA层(4)以及背板,其特征在于:所述背板为具有制冷功能的半导体制冷装置。通过将传统的背板设计成具有制冷功能的半导体制冷装置,绝缘、耐候,在满足背板性能要求的同时,可将光伏组件内的热量进行快速散热,从而降低光伏组件主体内电池片的工作温度,从而提高光伏组件转换效率。
进一步地,所述半导体制冷装置由上至下依次包括吸热板(5)、P/N型半导体(6)以及散热板(7),P型半导体和N型半导体的两端分别连接金属电极(8)并接通直流电源。在满足背板性能要求的同时,可将光伏组件内的热量进行快速散热,从而降低光伏组件主体内电池片的工作温度,从而提高光伏组件转换效率。
进一步地,所述直流电源为蓄电池或光伏组件。取材方便,结构简单。
进一步地,金属电极(8)分别位于吸热板(5)和散热板(7)上,与吸热板(5)和散热板(7)一体设置。线路连接方便、提高连接的牢固性和稳定性。
进一步地,所述散热板(7)连接水冷装置或风冷装置。进一步提高冷却的效果。
因此,本实用新型可实现光伏组件在短时间内的快速散热,提高光伏组件的工作效率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好的理解本实用新型方案,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。
如图1所示,本实用新型的可主动散热的光伏组件,由上至下依次包括层叠设置的玻璃层1、第一EVA层2、光伏电池片层3、第二EVA层4以及背板,所述背板为具有制冷功能的半导体制冷装置,其由上至下依次包括吸热板5、P/N型半导体6以及散热板7,P型半导体和N型半导体的两端分别连接金属电极8并接通直流电源,所述直流电源为蓄电池或光伏组件本身。吸热板5和散热板7采用吸热和散热性能良好的金属材料制作,此时,金属电极8分别位于吸热板5和散热板7上,与吸热板5和散热板7一体设置。
此外,为进一步提高散热的效果,散热板7还可以连接现有技术中的水冷装置或风冷装置。
显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本实用新型保护的范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司,未经常州天合光能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520140146.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种氮化镓发光二极管的外延结构
- 下一篇:一种太阳能空调系统的太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的