[实用新型]一种P型太阳能电池片

说明书

技术领域：

本实用新型涉及太阳能电池，尤其是一种P型太阳能电池片。

背景技术：

传统的太阳能电池通常是采用通过恒温，氧化，低温扩散，恒温扩散，高温扩散，降温等方法在硅片的正面和背面都制备银电极，然而这种太阳能电池仍然存在光电转换效率较低、生产效率低、成本高等缺点的问题。

因此，本实用新型在此提出一种改进的一种P型太阳能电池片。

实用新型内容：

针对现有技术中存在的缺陷，本实用新型的目的就是提供一种能够降低生产成本、转换效率高的一种P型太阳能电池片。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种P型太阳能电池片，P型硅片、PN结、N型硅片及电极，其特征在于：所述P型硅片具有正面和背面，正面上设有多晶绒面结构，背面为平面结构，所述PN结和所述N型硅片依次镀在所述P型硅片正面上，所述电极依次穿过P型硅片、PN结和N型硅片形成电极回路，所述P型硅片的厚度为150微米～200微米，所述PN结的厚度为0.3微米～0.5微米，所述N型硅片的厚度为50微米～70微米。

采用以上技术方案，本实用新型P型硅片的多晶绒面结构，并在P型硅片与N型硅片之间形成一层PN结，由于多晶绒面结构的发射率的发射效率高，致使少子载流子寿命高，提高了太阳能电池对长波段光的响应，且提高了光电转换效率、降低了生产成本。

所述多晶绒面结构的发射率为26％-27％。

采用以上技术方案，本实用新型多晶绒面结构的发射率为26％-27％，进一步提高光电转换效率。

附图说明：

图1是本实用新型结果示意图。

图标号说明：1-P型硅片，2-PN结，3-N型硅片，4-电极。

具体实施方式：

如图1所示，本实用新型提供一种P型太阳能电池片，P型硅片(1)、PN结(2)、N型硅片(3)及电极(4)，其特征在于：所述P型硅片(1)具有正面和背面，正面上设有多晶绒面结构，背面为平面结构，所述PN结(2)和所述N型硅片(3)依次镀在所述P型硅片(1)正面上，所述电极(4)依次穿过P型硅片(1)、PN结(2)和N型硅片(3)形成电极回路，所述P型硅片的厚度为150微米～200微米，所述PN结(2)的厚度为0.3微米～0.5微米，所述N型硅片(3)的厚度为50微米～70微米，本实用新型P型硅片(1)的多晶绒面结构，并在P型硅片(1)与N型硅片(3)之间形成一层PN结(2)，由于多晶绒面结构的反射率的反射效率高，致使少子载流子寿命高，提高了太阳能电池对长波段光的响应，且提高了光电转换效率、降低了生产成本。

所述多晶绒面结构的发射率为26％-27％，本实用新型多晶绒面结构的发射率为26％-27％，进一步提高光电转换效率。