[实用新型]引线框架结构及片结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及引线框架，具体地，涉及引线框架结构及片结构，尤其是涉及D2PAK产品的引线框架结构。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，并形成电气回路的关键结构件。引线框架起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，因此引线框架是电子信息产业中重要的基础材料。D2PAK是现今非常流行的封装方式，众多的晶体厂商选择D2PAK对贴片器件进行封装。因此找到针对D2PAK产品的最佳引线框架结构是工程师们需要努力的一个热点。

传统的D2PAK产品引线框架结构制作效率低，产品的结构强度不高，影响着元器件的使用寿命和性能。

实用新型内容

针对现有技术中的缺陷，本实用新型的目的是提供一种引线框架D2PAK产品结构。

根据本实用新型提供的一种引线框架结构，包括：厚料铜片部件、薄料铜片部件，所述厚料铜片部件通过连筋结构与薄料铜片部件相连；

--厚料铜片部件，包括功能结构Y1、连接结构Y2，所述功能结构Y1包括晶片放置区、基岛区，且所述晶片放置区的一个端面与基岛区的内端面相连；所述连接结构Y2包括抓胶台、抓胶孔，所述功能结构Y1的晶片放置区周边端面上设置有抓胶台，所述晶片放置区与基岛区的连接处的正反平面设有长方形的抓胶孔；

--薄料铜片部件，包括引脚H1、引脚H2、引脚H3，位于所述引脚H1、引脚H3之间的引脚H2的内端面通过连筋结构与所述厚料铜片部件的晶片放置区的另一个端面连接，且所述引脚H1、引脚H2、引脚H3的外端构成焊接端面。

优选地，所述厚料铜片部件的功能结构Y1的晶片放置区包括：侧压台、背面全周压台、V形沟槽，所述晶片放置区正面的左右边缘设置有向背面方向凹入的侧压台，所述晶片放置区背面的非连接基岛区的周边设置有向正面方向凹入的背面全周压台，所述晶片放置区正面的非连接基岛区的周边平面内设置有V形沟槽。

优选地，所述厚料铜片部件的功能结构Y1的基岛区，包括：散热区、工艺切口，所述散热区包括基岛区非连接晶片放置区的端面，所述散热区的正反平面与晶片放置区的正反平面平齐，所述散热区的左右端面为矩形平面且所述左右端面间的距离大于所述晶片放置区左右端面间的距离，所述基岛区的外端面的左右两边设置为向内端倾斜的斜面；所述基岛区左右平面的内端边沿设置有工艺切口。

优选地，所述厚料铜片部件的连接结构Y2的抓胶台包括：燕尾抓胶台，所述燕尾抓胶台设置在所述功能结构Y1的晶片放置区周边端面上，燕尾抓胶台的宽度小于所述功能结构Y1的晶片放置区的厚度，且所述燕尾抓胶台向所述功能结构Y1的晶片放置区内部凹入构成防水通槽腔。

优选地，所述厚料铜片部件的连接结构Y2的抓胶孔包括：卡胶长方冲孔，所述卡胶长方冲孔的孔口设置于所述厚料铜片部件的功能结构Y1的晶片放置区与基岛区的连接处的左右两侧，所述卡胶长方冲孔贯穿所述厚料铜片部件的功能结构Y1的晶片放置区与基岛区的连接处。

优选地，所述薄料铜片部件的引脚H1、引脚H3为T形薄铜片，所述引脚H1、引脚H3的一端为宽度大于另一端的自由端，所述薄料铜片部件的引脚H2呈矩形，位于所述薄料铜片部件的引脚H1、引脚H3之间，所述引脚H1、引脚H2、引脚H3之间留有间隙，且引脚H2的长度小于引脚H1、引脚H3的长度。

优选地，所述薄料铜片部件的引脚H1、引脚H2、引脚H3的正反两面都设有两个V形防水槽，所述两个V形防水槽之间相互平行，且所述引脚H1、引脚H2、引脚H3上的V形防水槽一一对齐。

优选地，所述薄料铜片部件的引脚H1、引脚H2、引脚H3的另一端均连接至矩形框状连接铜片，所述引脚H1、引脚H3的另一端均由所述连接铜片的内端面延伸至所述连接铜片的外端面；所述连接铜片的左右端面中的至少一端面上设置有半圆形的定位孔，所述连接铜片的左右端面边沿还设置有连接筋；所述连接铜片的外端面的两端设置有工艺切口。

优选地，所述引线框架结构是D2PAK框架产品的引线框架结构。

根据本实用新型提供的一种引线框架片结构，包括依次排列的多个上述的引线框架结构，其中，相邻的所述引线框架结构之间的通过连接筋结构连接。

优选地，相邻的所述引线框架结构的薄料铜片部件之间通过一连接筋结构连接，相邻的所述引线框架结构的基岛区之间通过另一连接筋结构连接。

与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：