[实用新型]一种压力传感器有效
| 申请号： | 201520131337.6 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN204718722U | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 张文伟 | 申请（专利权）人： | 苏州森特克测控技术有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 215600 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压力传感器 | ||
1.一种压力传感器，其特征在于，包括：
薄膜组件(2)，用于将待测压力转换为自身形变；
磁性元件(3)，设置在所述薄膜组件(2)上，用于提供磁场；
压力进口(4)，用于将待测压力传导至所述薄膜组件(2)；
磁场传感器(5)，用于检测所述磁场变化，并将所述磁场变化的信号转换为电信号。
2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，还包括壳体(1)，所述壳体(1)具有一开口，与紧固在所述开口上的所述薄膜组件(2)形成密闭腔体；所述磁性元件(3)与所述磁场传感器(5)设置在所述腔体内；所述压力进口(4)设置在所述腔体的外侧。
3.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于，还包括芯片(6)，所述芯片(6)设置在所述腔体内，用于处理所述磁场传感器(5)输出的所述电信号，输出所述压力进口(4)处的待测压力值。
4.根据权利要求3所述的压力传感器，其特征在于，所述磁场传感器(5)为霍尔传感器、各向异性磁电阻(AMR)传感器、巨磁阻效应(GMR)传感器、隧穿磁阻效应(TMR)传感器中的一种。
5.根据权利要求4所述的压力传感器，其特征在于，所述磁性元件(3)为直接形成在所述薄膜组件(2)上的磁膜。
6.根据权利要求5所述的压力传感器，其特征在于，所述磁膜的厚度为10nm～1mm。
7.根据权利要求4所述的压力传感器，其特征在于，所述磁性元件(3)通过弹性连接件设置在所述薄膜组件(2)上。
8.根据权利要求4-7任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述薄膜组件(2)的弹性模量为0.01GPa～200GPa。
9.根据权利要求8所述的压力传感器，其特征在于，所述压力传感器还包括设置在所述腔体内的温度传感器，用于检测所述腔体内的温度并转换为电信号传输至所述芯片(6)。
10.根据权利要求9所述的压力传感器，其特征在于，所述芯片(6)为可编程芯片。
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