[实用新型]一种具有双绝缘层的发光二极管阵列

权利要求书

1.一种发光二极管芯片阵列，其特征在于：在同一透明基板同一侧间隔地阵列式设置至少两个由N型半导体层、有源层、P型半导体层、电流阻挡层和透明导电层组成的发光单元，各发光单元的N型半导体层设置在透明基板上，有源层设置在N型半导体层上，P型半导体层设置在有源层上，电流阻挡层设置在部分P型半导体层上，在部分P型半导体层和电流阻挡层上设置透明导电层；相邻的两个发光单元之间设置隔离深槽，在隔离深槽的底部和侧壁设置内、外两层透明绝缘层；在相邻的两个发光单元中的一个发光单元的N型半导体层和另一个发光单元的透明导电层之间设置金属导电层；在阵列中一个发光单元的N型半导体层上设置N焊线电极，另一个发光单元的透明导电层上设置P焊线电极。

2. 根据权利要求1所述发光二极管芯片阵列，其特征在于：在隔离深槽底部和侧壁的内层透明绝缘层材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的任意一种，在隔离深槽底部和侧壁的外层透明绝缘层材料为氧化铝、氮化铝、氧化钛、玻璃、硅胶、树脂、聚甲基丙烯酸甲酯中的任意一种。