[实用新型]已进行化学机械研磨工序的晶片的多步骤清洗装置

权利要求书

1.一种已进行化学机械研磨工序的晶片的多步骤清洗装置，其特征在于，包括：

第1-1清洗模块，其清洗已进行化学机械研磨工序的所述晶片；

第1-2清洗模块，其层叠配置于所述第1-1清洗模块的上侧，清洗已进行化学机械研磨工序的所述晶片；

第2-1清洗模块，其清洗在所述第1-1清洗模块与所述第1-2清洗模块中的任一个模块中已进行清洗的所述晶片；

第2-2清洗模块，其层叠配置于所述第2-1清洗模块的上侧，清洗在所述第1-1清洗模块与所述第1-2清洗模块中的任一个模块中已进行清洗的所述晶片；

移动机构，使所述晶片移动至所述第1-1清洗模块与所述第1-2清洗模块中的至少一个模块中以及所述第2-1清洗模块与所述第2-2清洗模块中的至少一个模块中。

2.根据权利要求1所述的已进行化学机械研磨工序的晶片的多步骤清洗装置，其特征在于，

所述移动机构按如下路径移动所述晶片，即，使所述晶片移动到所述第1-1清洗模块与所述第1-2清洗模块中的任一个模块中，以进行第1次清洗工序，之后使所述晶片移动到所述第2-1清洗模块与所述第2-2清洗模块中的任一个模块中，以进行第2次清洗工序。

3.根据权利要求1所述的已进行化学机械研磨工序的晶片的多步骤清洗装置，其特征在于，

所述移动机构按如下路径移动所述晶片，即，使所述晶片移动到所述第1-1清洗模块与所述第1-2清洗模块中的任一个模块中，以进行清洗工序之后，使所述晶片移动到所述第1-1清洗模块与所述第1-2清洗模块中的另一个模块中，以进行清洗工序。

4.根据权利要求1所述的已进行化学机械研磨工序的晶片的多步骤清洗装置，其特征在于，包括：

第1缓冲模块，在所述第1-1清洗模块与所述第1-2清洗模块中的任一个模块中已进行清洗的所述晶片被供给到所述第2-1清洗模块与所述 第2-2清洗模块中的另一个模块之前，所述第1缓冲模块用于载放所述晶片。

5.根据权利要求4所述的已进行化学机械研磨工序的晶片的多步骤清洗装置，其特征在于，

所述第1缓冲模块具有载放2个以上晶片的空间。

6.根据权利要求5所述的已进行化学机械研磨工序的晶片的多步骤清洗装置，其特征在于，

所述第1缓冲模块具有以上下方向载放2个以上晶片的空间。

7.根据权利要求4所述的已进行化学机械研磨工序的晶片的多步骤清洗装置，其特征在于，

所述第1缓冲模块设置成可进行往返移动，以便从所述第1-1清洗模块与所述第1-2清洗模块中的任一个模块接收所述晶片，并向所述第2-1清洗模块与所述第2-2清洗模块中的任一个模块供给所述晶片。

8.根据权利要求4所述的已进行化学机械研磨工序的晶片的多步骤清洗装置，其特征在于，

所述第1缓冲模块供给液体，以保持被载放晶片的浸湿状态。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的已进行化学机械研磨工序的晶片的多步骤清洗装置，其特征在于，

对于所述第1-1清洗模块、所述第1-2清洗模块、所述第2-1清洗模块和所述第2-2清洗模块中处理时间长的模块，排列2个以上执行相同清洗工序的模块。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的已进行化学机械研磨工序的晶片的多步骤清洗装置，其特征在于，还包括：

第3-1清洗模块，清洗在所述第2-1清洗模块与所述第2-2清洗模块中的任一个模块中已进行清洗的所述晶片；

第3-2清洗模块，其层叠配置于所述第3-1清洗模块的上侧，清洗在所述第2-1清洗模块与所述第2-2清洗模块中的任一个模块中已进行清洗的所述晶片，

所述移动机构按如下路径移动所述晶片，即，如果所述晶片在所述第2-1清洗模块与所述第2-2清洗模块中的任一个模块中进行第2次清洗， 则使所述晶片在所述第3-1清洗模块与所述第3-2清洗模块中的任一个模块中进行第3次清洗。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的已进行化学机械研磨工序的晶片的多步骤清洗装置，其特征在于，

所述晶片在经过所述第1-1清洗模块与所述第1-2清洗模块中的任一个模块以及所述第2-1清洗模块与所述第2-2清洗模块中的任一个模块时，仅以不使用刷子的非接触方式进行清洗。