[实用新型]一种硅电容麦克风的电气连线结构

权利要求书

1.一种硅电容麦克风的电气连线结构，包括衬底、非导电层和导电层，所述衬底、非导电层和导电层彼此之间通过lift-off工艺形成有多个台阶结构，其特征在于，所述多个台阶结构上附着有多个金属电极，用以在相互绝缘的导电层之间的形成电气连接。

2.根据权利要求1所述的硅电容麦克风的电气连线结构，其特征在于，所述附着金属电极的台阶结构高度差不超过10微米。

3.根据权利要求1所述的硅电容麦克风的电气连线结构，其特征在于，所述导电层材料为掺杂单晶硅或掺杂多晶硅。

4.根据权利要求1所述的硅电容麦克风的电气连线结构，其特征在于，所述附着于台阶结构上的金属电极用于连接两个高度不同的导电层或两个高度相同但几何断开的导电层。

5.根据权利要求1所述的硅电容麦克风的电气连线结构，其特征在于，交错在不同导电层之间的所述非导电层内填充有牺牲层材料，且部分所述牺牲层材料在完成lift-off工艺后被去除。

6.根据权利要求5所述的硅电容麦克风的电气连线结构，其特征在于，部分没有被所述金属电极附着的导电层之间具备可动性，但被金属电极附着的两个导电层之间在与金属电极的连接处无相对运动。