[实用新型]像素结构和显示装置有效
| 申请号: | 201520109027.4 | 申请日: | 2015-02-13 |
| 公开(公告)号: | CN204391161U | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
| 发明(设计)人: | 皇甫鲁江;马文昱;高昕伟;李良坚;张粲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 孙纪泉 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 结构 显示装置 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括:
第一绝缘层;
发光单元,设置在所述第一绝缘层上,并包括第一电极层、发光层和第二电极层;
像素界定层,被构造成用于限定像素开口,所述发光单元设置在所述像素开口中;以及
反射组件,环绕所述像素界定层设置,以将从所述发光层入射到所述像素界定层中的光反射成从所述像素结构的出射面射出。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述反射组件包括:
第二绝缘层,位于所述像素界定层的外围且设置在所述第一绝缘层上;
沟槽,形成在所述第二绝缘层和所述像素界定层之间;以及;
反射层,设置在所述沟槽的位于所述第二绝缘层的一侧,以反射穿过所述像素界定层的所述光。
3.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述沟槽的底部延伸到所述第一绝缘层的至少一部分厚度中。
4.如权利要求1-3中的任一项所述的像素结构,其特征在于,所述像素界定层覆盖所述第一电极层的外边缘。
5.如权利要求2或3所述的像素结构,其特征在于,所述第二绝缘层和所述像素界定层形成在同一层并且由相同的材料制成,且所述第二绝缘层与所述像素界定层的高度相同。
6.如权利要求2或3所述的像素结构,其特征在于,所述第二绝缘层和所述像素界定层形成在同一层并且由相同的材料制成,并且所述第二绝缘层的高度大于所述像素界定层的高度。
7.如权利要求2或3所述的像素结构,其特征在于,所述反射层和所述第一电极层形成在同一层并且由相同的材料制成。
8.如权利要求7所述的像素结构,其特征在于,所述第二绝缘层的高度大于所述像素界定层的高度。
9.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述反射组件包括:
第二绝缘层,位于所述像素界定层的外围且设置在所述第一绝缘层上;以及
反射层,设置在所述第二绝缘层的面对所述像素界定层的一侧的内壁上,以反射从所述像素界定层射出的所述光,
其中,所述像素界定层的外侧表面与所述反射层接触。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-9中的任一项所述的像素结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





