[实用新型]晶圆卡盘平台

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路技术领域，尤其涉及一种晶圆卡盘平台。

背景技术

参考图1所示，在现有的某些特定的半导体工艺中，需要在晶圆11表面形成金属合成物的凸块12(Bump)，形成凸块晶圆1(Bump Wafer)。之后，需要对凸块晶圆1的背面进行涂胶，在涂胶过程中，凸块晶圆1位于卡盘2上，并且卡盘2上凸块晶圆1的周围采用垫片3，使得凸块晶圆1位于卡盘2中心，便于之后涂胶。卡盘2中与凸块晶圆1接触的区域形成有排气口，一般的，排气口仅由一个抽气装置抽气，将凸块晶圆1与卡盘2之间的气体排出。接着，卡盘2移动，使得凸块晶圆1与网版对准并结合，采用刮刀，在凸块晶圆1的背面形成一层石墨胶。现有技术中的卡盘2与凸块晶圆1之间难以形成密封的结构，使得凸块晶圆2难以形成很好的吸附力。而不能牢固的吸附在卡盘2上，凸块晶圆1脱离卡盘1吸附在网版上，从而影响凸块晶圆1的工艺流程。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种晶圆卡盘平台，使得凸块晶圆与晶圆卡盘平台之间的密封性更好，从而保证涂胶过程之后凸块晶圆可以吸附在晶圆卡盘平台。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种晶圆卡盘平台，所述晶圆卡盘平台包括基底，所述基底中间形成有凹槽，所述凹槽的边缘形成倒角，所述倒角的斜坡上覆盖一柔性材料层，所述凹槽中间形成有若干排气口。

可选的，所述凹槽中形成有三个排气口。

可选的，三个所述排气口分别采用三个抽气装置同时排气。

可选的，所述凹槽为圆形。

可选的，所述凹槽的半径比承载的晶圆的半径的大一预定常数。

可选的，所述预定常数大于等于1000μm。

可选的，所述凹槽的深度大于等于850μm。

可选的，所述倒角的角度为45°。

可选的，所述柔性材料层为高分子聚合物层。

可选的，所述基底为金属基底

本实用新型提供的晶圆卡盘平台，晶圆卡盘平台包括有基底，基底的中心具有凹槽，凹槽的边缘形成有倒角，并且倒角的斜坡上覆盖有柔性材料层。在涂胶的过程中，晶圆卡盘平台与凸块晶圆之间的密封性很好，经过若干个排气口同时排气，从而将凸块晶圆与晶圆卡盘平台之间的气体排出，从而凸块晶圆可以很好的吸附在晶圆卡盘平台上，改善涂胶的工艺流程。

附图说明

图1为现有技术中凸块晶圆与卡盘的连接结构的剖面示意图；

图2为本实用新型一实施例中晶圆卡盘平台与凸块晶圆连接结构的剖面示意图；

图3为本实用新型一实施例中涂胶过程中的主视图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的晶圆卡盘平台进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

本实用新型的核心思想在于，提供的晶圆卡盘平台包括基底，基底的中心具有凹槽，凹槽的边缘形成有倒角，并且倒角的斜坡上覆盖有柔性材料层。在涂胶的过程中，晶圆卡盘平台与凸块晶圆之间的密封性很好，经过若干个排气口同时排气，从而将凸块晶圆与晶圆卡盘平台之间的气体排出，使得凸块晶圆可以很好的吸附在晶圆卡盘平台上，改善涂胶的工艺流程。

以下结合图2-图3对本实用新型的晶圆卡盘平台进行详细的描述。