[实用新型]一种积层陶瓷电容器有效
申请号: | 201520107143.2 | 申请日: | 2015-02-13 |
公开(公告)号: | CN204390914U | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 吴卫和;许国治;李璐;潘迎利 | 申请(专利权)人: | 国巨电子(中国)有限公司 |
主分类号: | H01G4/232 | 分类号: | H01G4/232;H01G4/30 |
代理公司: | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人: | 朱亦倩 |
地址: | 215000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 电容器 | ||
技术领域
本实用新型涉及电容器领域,具体涉及一种积层陶瓷电容器。
背景技术
随着科技的不断进步,电子产品向着小型化、多功能发展,积层陶瓷电容器也是随之向着小型化、高容量发展。传统的积层陶瓷电容器包括堆栈体以及包覆于所述堆栈体两端的外端电极组件,堆栈体包括介电层及设置于介电层内部的内电极层。
参见图1所示,在现有技术中,积层陶瓷电容器的介电层1为陶瓷介电层,内电极层2为镍电极,外端电极组件是由铜、镍、锡三层3、4、5构成,滚磨后的产品利用液态导电铜膏与陶瓷介电层表面的毛细作用在陶瓷介电层的两端浸镀铜膏,使导电金属铜膏黏于陶瓷介电层,经高温烧结,使金属铜与陶瓷介电层紧密结合,形成端电极,确保良好电性。之后在铜表面再用电镀的方式分别镀上镍和锡,镀镍是为了保护底层铜,避免在焊接过程中因高温而造成侵蚀性不良,因为镍熔点高及硬度较高且又易与铜,锡相结合,故选其当介层,镀锡是为了确保端电极有良好的焊性。
上述这种结构的外端电极组件,镍层会对陶瓷介电层形成较大的应力,从而对产品的性能会有不利影响,且三层端电极结构在制备工艺上需要消耗较多的时间,产品生产周期较长,并且生产成本也较高,电镀设备使用也较多。
发明内容
本实用新型目的是提供一种积层陶瓷电容器,通过对结构的改进,缩短了生产周期,降低了生产成本,减少了生产过程中电镀设备的使用,同时减小了介电层所受应力。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种积层陶瓷电容器,包括堆栈体以及包覆于所述堆栈体两端的外端电极组件,所述堆栈体由介电层与内电极层构成,所述外端电极组件为双层式结构,包括外层的镀锡层及内层的铜镍混合层,所述铜镍混合层与所述介电层外壁紧密贴合。
进一步的技术方案,所述内电极层设置于所述介电层内部,且以交互堆栈式布置,各相邻的内电极层分别延伸于所述介电层两端外侧,并与对应的铜镍混合层连接。
进一步的技术方案,所述介电层为陶瓷介电层,所述内电极层为镍电极层。
进一步的技术方案,所述镀锡层厚度为3~15um,所述铜镍混合层厚度为10~50um。
由于上述技术方案运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:
1.本实用新型中外端电极组件为双层式结构,包括外层的镀锡层及内层的铜镍混合层,铜镍混合层与介电层紧密贴合,较之以往外端电极组件三层式的结构,生产周期明显缩短,生产成本也随之降低,同时减少了生产过程中电镀设备的使用,减小了介电层所受应力,保证了产品的质量;
2.本实用新型结构简单,使用方便,易于实现,且无需对现有结构进行大规模改变,适合推广使用。
附图说明
图1是现有技术中积层陶瓷电容器的结构示意图;
图2是本实用新型实施例一的结构示意图。
其中:1、介电层;2、内电极层;3、铜层;4、镍层;5、锡层;6、介电层;7、内电极层;8、铜镍混合层;9、镀锡层。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
实施例一:参见图2所示,一种积层陶瓷电容器,包括堆栈体以及包覆于所述堆栈体两端的外端电极组件,所述堆栈体由介电层6与内电极层7构成,所述介电层为陶瓷介电层,所述内电极层为镍电极层,所述外端电极组件为双层式结构,包括外层的镀锡层9及内层的铜镍混合层8,所述镀锡层厚度为3~15um,所述铜镍混合层厚度为10~50um,所述铜镍混合层与所述介电层外壁紧密贴合。
内电极层7设置于所述介电层6内部,且以交互堆栈式布置,各相邻的内电极层7分别延伸于所述介电层6两端外侧,并与对应的铜镍混合层8连接。
本实用新型所述的积层陶瓷电容器在制备过程中,采用铜和镍混合浆料,直接浸镀在陶瓷介电层的两端上,烘干后进行烧成,使铜镍混合浆料形成铜镍混合层并与陶瓷介电层紧密结合,最后采用电镀的方式镀上镀锡层,形成只有两层式外端电极组件的积层陶瓷电容器,较之以往三层式结构的外端电极组件,明显缩短了生产周期,降低了生产成本,同时减少了电镀设备的使用,并且减少了制备过程中陶瓷介电层所受应力,保证了产品的质量。
当然上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本实用新型的内容并据以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型主要技术方案的精神实质所做的修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
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