[实用新型]一种真空压力计

权利要求书

1.一种真空压力计，用于测量硅片工艺反应腔内的真空压力值，包括相互连接的薄膜和电容结构，所述薄膜用于在真空压力的作用下产生形变，所述电容结构根据所述薄膜产生的形变计算出反应腔内的真空压力值，其特征在于，所述真空压力计还包括：

测量电路，所述测量电路的输入端与所述电容结构连接，用于测量并反馈工艺反应腔的零点电压值；

比较输出电路，所述比较输出电路的输入端与所述测量电路的输出端连接，用于接收零点电压值，并将其与预设的电压值进行比较，输出电压差值；

调压电路，所述调压电路的输入端与所述比较输出电路的输出端连接，所述调压电路的输出端连接所述电容结构，所述调压电路根据电压差值，调整输出电压的大小，以使工艺反应腔的零点电压值与预设的电压值相等。

2.根据权利要求1所述的真空压力计，其特征在于，所述调压电路包括与所述电容结构连接的调压电阻，所述调压电阻根据所述比较输出电路输出的电压差值，调整所述调压电阻的阻值大小。

3.根据权利要求2所述的真空压力计，其特征在于，所述调压电阻与所述电容结构的两端连接。

4.根据权利要求1所述的真空压力计，其特征在于，所述调压电路为可控硅调压电路。

5.根据权利要求1所述的真空压力计，其特征在于，所述测量电路的输入端与所述电容结构的两端连接。