[实用新型]一种具有多层辅助层的磁电阻元件

权利要求书

1.一种磁电阻元件，包括

磁参考层，所述磁参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；

磁记忆层，所述磁记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面，所述磁记忆层是单层或多层结构；

隧道势垒层，所述隧道势垒层设置在所述磁记忆层与所述磁参考层之间且分别与所述磁记忆层与所述磁参考层相邻；

其特征在于，还包括

依次相邻设置的第1辅助层、第2辅助层……第n-1辅助层、第n辅助层，n为总层数且大于2；所述第1辅助层与所述磁记忆层相邻，所述第1辅助层是电负性低于所述磁记忆层中金属的电负性的金属层，所述第2辅助层是电负性低于所述第1辅助层中金属的电负性的金属层……所述第n辅助层是电负性低于所述第n-1辅助层中金属的电负性的金属层；

保护层，所述保护层与所述第n辅助层相邻。

2.如权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，所述第2辅助层与B元素的键结合度强于所述第1辅助层与B元素的键结合度，所述第3辅助层与B元素的键结合度强于所述第2辅助层与B元素的键结合度……所述第n辅助层与B元素的键结合度强于所述第n-1辅助层与B元素的键结合度。

3.如权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，所述第1辅助层的材料是Ti，厚度范围是1～10nm。

4.如权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，所述第2辅助层的材料是Ta，厚度范围是1～10nm。

5.如权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，第m辅助层的材料是Hf、Zr、Nb、Mg中的一种，厚度范围是1～10nm，m≥3。

6.如权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，所述保护层的材料是Cu、Ru、Al、Rh、Ag、Au中的一种。

7.如权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，所述磁记忆层是单层铁磁含硼合金层。

8.如权利要求7所述的磁电阻元件，其特征在于，所述单层铁磁含硼合金层的材料是CoFeB、CoB或FeB。

9.如权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，所述磁记忆层是依次相邻的三层结构，中间一层由非磁性材料构成，其余两层由磁性材料构成。

10.如权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，所述隧道势垒层是非磁性金属氧化物或氮化物。

11.如权利要求10所述的磁电阻元件，其特征在于，所述非磁性金属氧化物是MgO、ZnO或MgZnO。