[实用新型]一种新型半导体芯片结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体芯片领域，具体地说，特别涉及到一种新型半导体芯片结构。

背景技术

半导体芯片指的是在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓，锗等半导体材料。

现有的半导体芯片的结构为左右分布结构，在半导体片拆上设置的两块有源区分别位于半导体芯片的左右两侧，其接触长度仅为两者的边长，因此，采用这种结构的半导体芯片的通流量较低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于针对现有技术中的不足，提供一种新型半导体芯片结构，以解决上述问题。

本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：

一种新型半导体芯片结构，包括用作于基板的半导体芯片，在所述半导体片材上设有第一有源区和第二有源区；所述第一有源区的主体为环形，在环形的内部设有空心结构，所述第二有源区位于空心结构内，且第二有源区的四条外边分别与第一有源区空心结构的四条内边内边接触。

优选的，所述第一有源区为内部空心的圆环或多边形。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

在保证芯片总面积和每个芯片面积基本不变的情况下，将两个芯片的接触长度变为2.75倍，增加了芯片的通流量。

附图说明

图1为本实用新型所述的现有半导体芯片的结构示意图。

图2为本实用新型所述的新型半导体芯片的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

参见图1，以总体尺寸为100μm*100μm的芯片为例，若采用现有的左右分布结构，则左边有源区的尺寸为35μm*80μm＝2800μm²，右边有源区的尺寸为35μm*80μm＝2800μm²，两者的接触长度为80μm。

参见图2，若采用本实用新型所述的新型半导体芯片内结构，半导体芯片1的尺寸为100μm*100μm不变，外部有源区2的尺寸为80μm*80μm-60μm*60μm＝2800μm²，内部有源区3的尺寸为55μm*55μm＝3025μm²。在这种情况下，两者的接触长度为4*55μm＝220μm。在总体尺寸保持不变的情况下，采用新型芯片结构的半导体芯片的接触长度为传统结构半导体芯片的2.75倍，大大增加了芯片的通流量。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优 点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。