[实用新型]一种新型弱磁场精密测量电路有效

专利信息
申请号: 201520082114.5 申请日: 2015-02-05
公开(公告)号: CN204389664U 公开(公告)日: 2015-06-10
发明(设计)人: 程体阳;史仪男;王曦桐;杨帆;胡佳佳;刘凯 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G05B23/02
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 400044 重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 磁场 精密 测量 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及磁场的测量,特别涉及一种新型弱磁场精密测量电路。

背景技术

弱磁场是指磁场等级在地磁场附近(0.5Oe)或较弱于地磁场的磁场强度大小。而绝大多数的磁场均位于弱磁场区间。随着科学技术的发展,人们在磁场测量方面作了大量的工作,设计出了各种不同的磁场传感器,并广泛的应用于磁场测量之中。在探测磁场的大小、方向以及在探矿、地下钻孔、位置检测、无损探伤,磁场成像、航海系统等方面往往需要测得一个准确度很高的磁场值。

由于弱磁场等级较低,信号较小,同时噪声干扰与磁场信号相近,相对误差较大,变化较大,因此合适的磁场测量及误差处理电路是目前的重点。

现在常见的弱磁场测量方法,主要有磁通门法、霍尔效应法、巨磁阻效应法。但此三种方法均有明显的缺点:

磁通门法:磁通门法的绕制方法十分复杂,同时性能较好的磁通门其体积较大,成本较高,更重要的是磁通门必须静置测量,否则误差较大

霍尔效应法:霍尔效应法对mT级磁场敏感,对高斯及以下磁场不敏感,即其弱磁场敏感性不好

巨磁阻效应法:巨磁阻效应是制作磁盘的方法之一,在测量磁场中,因为其材料具有十分显著的磁滞特性,导致其记忆效应明显,误差较大。

随着技术的不断进步,磁场测量传感器也必将朝着低成本,低误差,操作简单,体积较小的方式前进,那些不利于测量或成本较高的方法将会得到改进甚至淘汰,而克服了上述缺点的测量方法也将得到更为广阔的发展空间。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种新型弱磁场精密测量电路

为达到上述目的,本实用新型提供如下技术方案,一种新型弱磁场精密测量电路,包括磁阻式传感器、放大电路、滤波电路、测量电路、offset电路和set/reset电路,所述磁阻式传感器的输出端与放大电路的输入端连接,放大电路的输出端与滤波电路连接,滤波电路的输出端与数据处理电路连接,offset电路、set/reset电路分别与磁阻式传感器连接。

进一步,所述set/reset电路包括NMOS管、PMOS管、第一电容、第二电容、第三电容和第一电阻;所述PMOS管的源极与NMOS管的漏极连接,所述NMOS管的源极与第三电容的一端连接,第三电容的另一端与PMOS管的漏极连接,PMOS管的漏极经第一电阻与+5V电源连接,PMOS管的源极与NMOS管的漏极与第一电容的一端连接,第一电容的另一端与磁阻式传感器的set/reset端连接,第一电容与第二电容并联,NMOS管的栅极与PMOS管的栅极与脉冲电源连接,NMOS管的源极接地。

进一步,所述offset电路包括第一滑动变阻器和第二滑动变阻器;所述第一滑动变阻器的两个固定接线柱分别接+1V电源和-1V电源,滑片接磁阻式传感器的第一offset带;所述第二滑动变阻器的两个固定接线柱分别接+1V和-1V电源,滑片接磁阻式传感器的第二offset带。

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