[实用新型]一种存储器数据掉电保持装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种数据的掉电保持技术领域，具体地说，是涉及一种存储器数据掉电保持装置。

背景技术

传统的数据备份主要采用的非易失性半导体存储器，非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于ROM(，Read-Only Memory，只读存储器)技术。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点，如EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory，可擦除可编程只读寄存器，目前几乎已经废止)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，带电可擦可编程只读存储器)和Flash(闪存)。同时这些存储器不仅写入速度慢，而且擦写次数有限，写入时功耗大。

考虑非易失性存储器有限的读写次数，一般系统都是在掉电时靠备份电源支撑存储器完成掉电数据存储，在对功耗要求不太高的系统一般都在控制器装置内部增加纽扣电池等简易措施。相对而言，纽扣电池要么选择不可充电类型，但这样寿命较短；要么选择充电型锂离子或镍氢电池，但这类电池对充放电电路的设计要求却比较高。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种存储器数据掉电保持装置，以克服现有主流非易失性存储器有限的读写次数及备份电源设计要求苛刻的不足，从而实现掉电数据备份。

为了达到上述技术目的，本实用新型实施例提供了一种存储器数据掉电保持装置，所述存储器数据掉电保持装置包括：非易失性存储器、主电源、备份电源、主备切换电路，其中：

所述非易失性存储器，用于进行数据存储；

所述主电源，与所述非易失性存储器通过所述主备切换电路电性连接，用于在所述非易失性存储器正常工作时供电；

备份电源，与所述非易失性存储器通过所述主备切换电路电性连接，用于在所述非易失性存储器正常工作时，通过所述主备切换电路进行电量存储，并在所述主电源掉电时，通过所述主备切换电路为所述非易失性存储器供电，将掉电需要存储的数据写入所述非易失性存储器。

上述技术方案具有如下有益效果：可以在备用电源的供给下实现掉电数据的存储，装置可以仅采用常用二极管、电容，电路连接关系简单、成本低。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例一种存储器数据掉电保持装置结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示，为本实用新型实施例一种存储器数据掉电保持装置结构示意图，所述存储器数据掉电保持装置包括：非易失性存储器11、主电源12、备份电源13、主备切换电路14，其中：

所述非易失性存储器11，用于进行数据存储；

所述主电源12，与所述非易失性存储器11通过所述主备切换电路14电性连接，用于在所述非易失性存储器11正常工作时供电；

备份电源13，与所述非易失性存储器11通过所述主备切换电路14电性连接，用于在所述非易失性存储器11正常工作时，通过所述主备切换电路14进行电量存储，并在所述主电源12掉电时，通过所述主备切换电路14为所述非易失性存储器11供电，将掉电需要存储的数据写入所述非易失性存储器11。

优选的，所述存储器数据掉电保持装置还包括：串行总线接口15，用于连接所述非易失性存储器11和微控制单元MCU。

优选的，所述串行总线接口15为串行外设接口SPI类型总线。

优选的，所述主备切换电路14包括：

第一二极管141，用于连接所述备份电源13和所述非易失性存储器11，在所述主电源12掉电时，通过所述第一二极管141为所述非易失性存储器11供电，将掉电需要存储的数据写入所述非易失性存储器11；