[实用新型]制备三氯氢硅的系统

权利要求书

1.一种制备三氯氢硅的系统，其特征在于，包括：

氢化反应装置，所述氢化反应装置具有硅粉入口、第一四氯化硅入口、第一氢气入口和粗氯硅烷气体出口；

第一降温装置，所述第一降温装置具有粗氯硅烷气体入口和第一降温粗氯硅烷气体出口，所述粗氯硅烷气体入口与所述粗氯硅烷气体出口相连；

急冷单元，所述急冷单元具有第一降温粗氯硅烷气体入口、氯硅烷入口、第二四氯化硅入口、第一升温四氯化硅、第二降温粗氯硅烷气体出口和含有硅粉的杂质出口，所述第一降温粗氯硅烷气体入口与所述第一降温粗氯硅烷气体出口相连；

第一冷却单元，所述第一冷却单元具有第二降温粗氯硅烷气体入口和液态粗氯硅烷出口，所述第二降温粗氯硅烷气体入口与所述第二降温粗氯硅烷气体出口相连；

气液分离单元，所述气液分离单元具有液态粗氯硅烷入口、含有氢气的气体出口、液态氯硅烷出口，所述液态粗氯硅烷入口与所述液态粗氯硅烷出口相连，所述液态氯硅烷出口与所述氯硅烷入口相连；

精馏装置，所述精馏装置具有氯硅烷进口、三氯氢硅出口和第一四氯化硅出口，所述氯硅烷进口与所述液态氯硅烷出口相连；

第二冷却单元，所述第二冷却单元具有含有氢气的气体入口、第一氢气出口和液体混合物出口，所述含有氢气的气体入口与所述含有氢气的气体出口相连，所述液体混合物出口与所述气液分离单元相连；

四氯化硅储罐，所述四氯化硅储罐具有第三四氯化硅入口、第二四氯化硅出口，所述第三四氯化硅入口与所述第一四氯化硅出口相连，所述第二四氯化硅出口分别与所述第二四氯化硅入口和所述气液分离单元相连；

氢气储罐，所述氢气储罐具有第二氢气入口和第二氢气出口，所述第二氢气入口与所述第一氢气出口相连；

加热装置，所述加热装置具有第一升温四氯化硅入口和第二升温四氯化硅出口，所述第一升温四氯化硅入口与所述第一升温四氯化硅出口相连；

混合装置，所述混合装置具有第二升温四氯化硅入口、第三氢气入口和混合气体出口，所述第二升温四氯化硅入口与所述第二升温四氯化硅出口相连，所述第三氢气入口与所述第二氢气出口相连；以及

过热装置，所述过热装置具有混合气体入口和过热气体出口，所述混合气体入口与所述混合气体出口相连，所述过热气体出口与所述氢化反应装置相连。

2.根据权利要求1所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述急冷单元包括急冷器和换热器，所述第二四氯化硅入口、第一升温四氯化硅、第二降温粗氯硅烷气体出口分别独立的设置在所述换热器上，所述第一降温粗氯硅烷气体入口、氯硅烷入口、含有硅粉的杂质出口设在所述急冷器上。

3.根据权利要求2所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述急冷器中具有气体分布器和消泡筛板。

4.根据权利要求1所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述第一冷却单元包括空冷装置和一级冷却装置，并且所述空冷装置与所述一级冷却装置相连。

5.根据权利要求4所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述气液分离单元包括第一气液分离装置和第二气液分离装置，所述液态粗氯硅烷入口、含有氢气的气体出口设置在所述第一气液分离装置上，所述液态氯硅烷出口设置在所述第二气液分离装置上。

6.根据权利要求1所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述第二冷却单元包括二级冷却装置和三级冷却装置。

7.根据权利要求1所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，进一步包括：

渣浆处理装置，所述渣浆处理装置与含有硅粉的杂质出口相连。