[实用新型]扩晶机的顶膜结构有效
申请号: | 201520052888.3 | 申请日: | 2015-01-22 |
公开(公告)号: | CN204332927U | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 彭晖;眭世荣 | 申请(专利权)人: | 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心;彭晖 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/48 |
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地址: | 528220 广东省佛山市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扩晶机 膜结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种新型的半导体行业和LED行业使用的扩晶机的顶膜结构,使得蓝膜受力均匀,因此均匀扩张,相邻芯片之间的距离相等,减少后续的测量和分选工艺占用的机器分辨和定位时间,达到晶元级封装的要求,便于后续的工艺流程。
背景技术
晶元(wafer)上正方形和矩形芯片的切割道(cutting street)是沿互相垂直的两个方向:X方向和Y方向,X方向与晶元的平边(flat)平行。现有的扩晶机(wafer expander)都是沿晶元的半径方向扩张,因此,同一切割道方向上的相邻芯片(chip)之间的距离不相等并且旋转,使得后续的测量和分选的工艺占用较多的机器分辨和定位时间。另外,芯片级封装(chip scale package)或晶元级封装(wafer level package)要求同一切割道方向上的芯片之间的距离基本上相同。因此,一种使得扩张后的晶元上的同一切割道方向的芯片之间的距离基本上相同的扩晶机已经被提出(中国专利和专利申请:2014102053696,2014202526892,201410364441.x,201420421786.x,201420627183.5)。但是,目前的扩晶机,在扩张蓝膜时,由于扩晶机的顶膜结构的边缘与蓝膜之间的摩擦力,使得蓝膜受到的力不均匀,这增加了对蓝膜的强度的要求,增加了成本,而且,影响了扩张的均匀性。因此,需要进一步改进。
实用新型内容
本实用新型的首要目的是为扩晶机提供一种顶膜结构,使得在蓝膜扩张的过程中,减小扩晶机的顶膜结构的边缘与蓝膜之间的摩擦力,蓝膜各部分受到的力比较小而且均匀。第二个目的是为扩晶机提供一种顶膜结构,使得扩张后的晶元在X方向的相邻的芯片之间的距离基本上相同,在Y方向的相邻的芯片之间的距离基本上相同,芯片之间的沿X方向的距离与沿Y方向的距离可以相同或者不同,因此,适用于正方形和矩形芯片,满足芯片级封装的要求。
本实用新型的扩晶机的顶膜结构的工作原理。顶膜结构的俯视形状是四边形;在顶膜结构的四边分别设置可以转动的圆柱体,顶膜结构的顶端的表面与4个圆柱体的顶部在同一平面,使得蓝膜同时接触顶膜结构的顶端的表面和圆柱体的顶部。在扩晶机工作时,顶膜结构向上升起,圆柱体随顶膜结构向上升起,蓝膜被扩张,与蓝膜接触的圆柱体被扩张的蓝膜带动而转动并且改变蓝膜的拉伸方向,使得蓝膜受力较小并且受力均匀。顶膜结构的顶端的表面是蓝膜接触面,蓝膜放置在蓝膜接触面上,蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形,使得蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。顶膜结构的顶端的表面与圆柱体的顶部在同一平面,使得蓝膜同时接触顶膜结构的顶端的表面和圆柱体的顶部。
本实用新型的顶膜结构的一个实施实例:其特征是,圆柱体包括实心的圆柱体或者中空的圆柱体。
本实用新型的顶膜结构的一个实施实例:其特征是,圆柱体的支架与顶膜结构是一体成型。
本实用新型的顶膜结构的一个实施实例:其特征是,圆柱体的支架是固定在顶膜结构上。
本实用新型的顶膜结构的一个实施实例:顶膜结构具有加热结构(未在附图中展示)。
本实用新型的顶膜结构的一个实施实例:4个圆柱体分别具有加热结构(未在附图中展示)。
下面的事项对所有本实用新型的扩晶机的实施实例都适用:附图中的尺寸不成比例。
附图说明
图1a、图1b和图1c分别展示在先的顶膜结构的俯视图、截面图和工作原理图。
图2a、图2b、图2c、图2d分别展示本实用新型的顶膜结构的一个实施实例的俯视图、截面图和工作原理。
图3展示本实用新型的一个实施实例的顶膜结构。
图中的数字符号代表的含义如下:
10表示在先的顶膜结构,
11表示本实用新型的顶膜结构10的顶端的表面,
15表示顶膜结构10的边缘,
20表示蓝膜,
21和22分别表示在顶膜结构10的边缘15的两侧的部分蓝膜,
25和26分别表示在圆柱体50的两侧的部分蓝膜,
40表示本实用新型的顶膜结构的一个实施实例,
41表示本实用新型的顶膜结,40的顶端的表面,
50表示与顶膜结构40配合的可以转动的圆柱体,
60表示圆柱体50的与顶膜结构40一体成型的支架,
70表示本实用新型的顶膜结构的一个实施实例,
80表示与顶膜结构70配合的可以转动的圆柱体,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造