[实用新型]一种给非标准设备智能供电的PoE交换机有效
| 申请号: | 201520044950.4 | 申请日: | 2015-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN204498148U | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
| 发明(设计)人: | 鲁小永;伍国枢;李露柯 | 申请(专利权)人: | 东莞市永权东信息技术有限公司 |
| 主分类号: | H04L12/931 | 分类号: | H04L12/931 |
| 代理公司: | 东莞市展智知识产权代理事务所(普通合伙) 44308 | 代理人: | 冯卫东 |
| 地址: | 523000 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 非标准 设备 智能 供电 poe 交换机 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种PoE交换机,尤其是非标准设备智能供电的PoE交换机。
背景技术
现有的PoE系统都遵循着两个国际标准,分别为IEEE802.3AF和IEEE802.3AT标准,为了能让网线传输更大的功率并减少功率在网线的传输过程中的损耗,标准里把PoE系统的工作电压设定的比较高,IEEE802.3AF标准规定的电压范围是从44-57V之间,而IEEE802.3AT标准规定的电压范围是从50-57V之间。这对于使用市电作为电源的标准PoE应用不存在问题。但是把标准PoE设备应用在没有市电的场合会遇到困难,为了让标准的PoE设备正常工作,就必须配备一个逆变器设备,把较低的电源电压变成IEEE802.3AF(AT)的标准电压范围内,但是这种方式存在以下三个缺点:
A、成本增加:为了让电源电压的达到IEEE802.3AF(AT)标准的电压范围,需要增加一个电源逆变器。
B、增加了电源的功率损耗:电源逆变器在工作中会有一部分电源功率的损耗,一般损耗可达到20%左右。
C、增加了设备的安装空间:需要增加逆变器的设备安装空间,对于大巴公交车等较小空间的场合,安装设备的空间需求越小越好。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种给非标准设备智能供电的PoE交换机,使得PoE交换机不需要增加电源逆变器的情况下让PoE的工作电压范围可以降到44V以下,可以适应大巴公交车、轿车、游艇上的蓄电池组的电源电压(12V、24V或36V)的范围。
为了解决上述技术问题,一种给非标准设备智能供电的PoE交换机,包括MCU微控制器,供电端口,其特征在于:在所述MCU微控制器和所述供电端口之间设有电压比较电路模块。
所述一种给非标准设备智能供电的PoE交换机,其特征在于:撰述电压比较电路模块包括
DAC:设定比较器中的电流限定值用来设定,即用来限定供电端口的最大电流;
ADC:对电源电压进行测量,检查电源是否工作正常;
比较器:用DAC模块设定的电流来比较通过ADC测量到的电流,来确定供电端口能否供电;
电流采样电阻:ADC通过电流采样电阻来测量供电端口的电流;
隔离MOSFET:开关作用,当电流大于所述DAC中电流设定值或小于5mA时关闭对供电端口的电流,当电流小于所述DAC中电流设定值且大于5mA时对供电端口正常供电;
防反接保护二极管:用来防止受电设备上有不同极性的电源损坏隔离MOSFET;
所述DAC和所述ADC的一端与MCU微控制块连接,另一端与所述比较器相连接;
所述电流采样电阻一端与所述ADC相连接,另一端接地;
所述隔离MOSFET的G栅极与比较器相连接,S源极通过所述电流采样电阻接地,D漏极分别与所述防反接保护二极管及供电端口相连接。
所述一种给非标准设备智能供电的PoE交换机,其特别在于:所述DAC中设定的用来比较的电源值可根据用户需要设置不同值。
所述一种给非标准设备智能供电的PoE交换机,其特别在于:所述供电端口能提供的电压范围为12V-57V。
采用这样的结构,通过重新设计PoE交换机的供电端口,使得PoE交换机不需要增加电源逆变器的情况下也可以让非标准外源设备正常工作,让PoE的工作电压范围可以降到44V以下,可以适应大巴公交车、轿车、游艇上的蓄电池组的电源电压(12V、24V或36V)的范围,通过放宽PoE的工作电压范围,拓展了PoE技术的应用范围。不再需要昂贵电源和安装电源所耗费的时间,节省了费用和时间,节省安装空间,减少电源的功率损耗。
附图说明
图1:本实用新型一种给非标准设备智能供电的PoE交换机的系统框图(其中一个供电端口);
图2:本实用新型一种给非标准设备智能供电的PoE交换机的工作流程图。
具体实施方式
下面结合图1、图2来具体说明。
实施例一:
图1所示在PoE交换机的每一供电端口都设置有一个电压比较电路模块,DAC(数模转换器件)和ADC(模数转换器件)的一端与MCU微控制器连接,另一端与比较器相连接;电流采样电阻一端与所述ADC相连接,另一端接地;隔离MOSFET的G栅极与比较器相连接,S源极通过所述电流采样电阻接地,D漏极分别与所述防反接保护二极管及供电端口相连接;防反接保护二极管另一端接供电端口。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市永权东信息技术有限公司,未经东莞市永权东信息技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520044950.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种可拨打电话的手环
- 下一篇:一种100GECFP双收光模块装置





