[实用新型]一种输入输出接口的双向驱动电路有效
申请号: | 201520035837.X | 申请日: | 2015-01-19 |
公开(公告)号: | CN204349779U | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 贾春冬 | 申请(专利权)人: | 北京经纬恒润科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 路凯;胡彬 |
地址: | 100101 北京市朝阳区安翔*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 输入输出 接口 双向 驱动 电路 | ||
1.一种输入输出接口的双向驱动电路,其特征在于,包括低电压驱动端、高电压驱动端、第一电阻、第一晶体管、第二晶体管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻,其中,
所述低电压驱动端分别与所述第一电阻的第一端、所述第四电阻的第二端以及所述第五电阻的第一端相连,所述第一电阻的第二端与所述第一晶体管的第一端相连,所述第五电阻的第二端与地相连;
所述第一晶体管的第二端分别与所述第二晶体管的第一端以及所述第二电阻的第一端相连,所述第一晶体管的第三端分别与所述第二晶体管的第三端以及与地相连,所述第二电阻的第二端与电源相连;
所述第二晶体管的第二端分别与所述第三电阻的第一端以及所述第六电阻的第一端相连,所述第三电阻的第二端与电源相连,所述第六电阻的第二端分别与所述高电压驱动端和所述第四电阻的第一端相连。
2.根据权利要求1所述的输入输出接口的双向驱动电路,其特征在于,当所述低电压驱动端作为输出端时,如果所述低电压驱动端输出高电平,则电源电压通过所述第三电阻和所述第六电阻后使得所述高电压驱动端输出高电平;
如果所述低电压驱动端输出低电平,则接地端电压通过所述第六电阻后使得所述高电压驱动端输出低电平。
3.根据权利要求1所述的输入输出接口的双向驱动电路,其特征在于,当所述高电压驱动端作为输出端时,如果所述高电压驱动端输出高电平,所述高电平通过所述第四电阻和所述第五电阻分压后使得所述低电压驱动端输出高电平;
如果所述高电压驱动端输出低电平,则所述低电平通过所述第四电阻后使得所述低电压驱动端输出低电平。
4.根据权利要求1-3任一所述的输入输出接口的双向驱动电路,其特征在于,所述第四电阻的阻值和所述第五电阻的阻值之和大于所述第三电阻的阻值的十倍。
5.根据权利要求1-3任一所述的输入输出接口的双向驱动电路,其特征在于,所述第六电阻的阻值小于或等于所述第三电阻的阻值。
6.根据权利要求1-3任一所述的输入输出接口的双向驱动电路,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管均为NPN管。
7.根据权利要求6所述的输入输出接口的双向驱动电路,其特征在于,所述第一晶体管的第一端为所述NPN管的基极,所述第一晶体管的第二端为所述NPN管的集电极,所述第一晶体管的第三端为所述NPN管的发射极;
所述第二晶体管的第一端为所述NPN管的基极,所述第二晶体管的第二端为所述NPN管的集电极,所述第一晶体管的第三端为所述NPN管的发射极。
8.根据权利要求1-3任一所述的输入输出接口的双向驱动电路,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管均为NMOS管。
9.根据权利要求8所述的输入输出接口的双向驱动电路,其特征在于,所述第一晶体管的第一端为所述NMOS管的栅极,所述第一晶体管的第二端为所述NMOS管的漏极,所述第一晶体管的第三端为所述NMOS管的源极;
所述第二晶体管的第一端为所述NMOS管的栅极,所述第二晶体管的第二端为所述NMOS管的漏极,所述第二晶体管的第三端为所述NMOS管的源极。
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