[实用新型]一种芯片开帽装置有效
申请号: | 201520032900.4 | 申请日: | 2015-01-17 |
公开(公告)号: | CN204348683U | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 尚跃;余夕霞 | 申请(专利权)人: | 上海聚跃电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200233 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及芯片设备领域,具体涉及一种芯片开帽装置。
背景技术
集成电路芯片是在硅板上集合多种电子元器件实现某种特定功能的电路模块,它是电子设备中最重要的部分,芯片开帽是集成电路芯片制作过程中的一道重要工序,但现有的芯片开帽装置存在耗时久、成本高等缺点。
实用新型内容
鉴于目前芯片开帽装置存在的上述不足,本实用新型提供一种快速、成本低的芯片开帽装置。
为达到上述目的,本实用新型采用根据下技术方案:
一种芯片开帽装置,所述芯片开帽装置包括YAG棒、泵灯、聚光镜、第一反射镜、第二反射镜、高压电源和样品台,所述YAG棒与泵灯平行布置且都位于聚光镜内,所述YAG棒安装在第一反射镜与第二反射镜之间,所述YAG棒的中心线分别与第一反射镜的中心线、第二反射镜的中心线重合,所述第二反射镜固定在样品台与聚光镜的底部之间,所述泵灯的两端与高压电源的两端接通。
依照本实用新型的一个方面,所述聚光镜的截面形状为方形。
依照本实用新型的一个方面,所述芯片开帽装置还包括电容,所述电容的两端与高压电源的两端接通。
依照本实用新型的一个方面,所述YAG棒与泵灯之间的间隙为1-3㎜。
依照本实用新型的一个方面,所述第一反射镜与第二反射镜平行布置,所述第一反射镜的反射率为99-100%,所述第二反射镜的反射率为50%。
本实用新型的优点:由于本实用新型的芯片开帽装置包括YAG棒、泵灯、聚光镜、第一反射镜、第二反射镜、高压电源和样品台,YAG棒与泵灯平行布置且都位于聚光镜内,YAG棒安装在第一反射镜与第二反射镜之间,YAG棒的中心线分别与第一反射镜的中心线、第二反射镜的中心线重合,第二反射镜固定在样品台与聚光镜的底部之间,泵灯的两端与高压电源的两端接通,整个芯片开帽装置结构简单,成本低;由于YAG棒安装在第一反射镜与第二反射镜之间,可构成的光学谐振腔,在光学谐振腔内,非轴向传播的单色光谱被排出谐振腔外,轴向传播的单色光谱在腔内往返传播,当泵灯提供足够的高能级的原子在激光物质内,具有高能级的原子受激发射跃迁所产生的受激发射光,与入射光具有相同的频率、相位,光重复在谐振腔内通过“粒子数反转状态”的激活物质后,相同频率单色光谱的光强被增大生成了镭射光,镭射光高渗透率就能透过第二反射镜发射出来,成为连续式镭射光,镭射光不断地轰击样品,这样芯片开帽的速度大幅提高,所以本实用新型的芯片开帽装置的成本低、开帽的速度快。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的一种芯片开帽装置的示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示,一种芯片开帽装置,所述芯片开帽装置包括YAG棒2、泵灯6、聚光镜3、第一反射镜1、第二反射镜5、高压电源10和样品台7,YAG棒2与泵灯6平行布置且都位于聚光镜3内,YAG棒2安装在第一反射镜1与第二反射镜5之间,YAG棒2的中心线分别与第一反射镜1的中心线、第二反射镜5的中心线重合,第二反射镜5固定在样品台7与聚光镜3的底部之间,泵灯6的两端与高压电源10的两端接通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造