[实用新型]半导体装置有效
申请号: | 201520028093.9 | 申请日: | 2015-01-15 |
公开(公告)号: | CN204332982U | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 冈崎光洋 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L31/044 | 分类号: | H01L31/044 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳光发电装置,尤其涉及利用封装树脂封装了RBP-MOS、控制元件、第1二极管、第2二极管、芯片载置台和内引线的半导体装置。
背景技术
近年来,作为有利于地球环境的绿色能源,对于太阳光、太阳热、地热、水力、风力、生物燃料等可再生能源的关心越来越高。其中对于太阳光发电装置的需求显著增加,期望进一步提高发电效率。
一般情况下,因为太阳电池的每个电池(cell)(太阳光发电元件)的产生电压低于1V以下,所以使已串联连接多个电池的模块进行串并联连接来构成太阳光发电装置。
当由于阴天而导致串联连接的一部分电池没有照射到太阳光时,该电池不仅无法进行发电还成为高电阻。在此情况下,串联连接的电池的全部发电能量的回收效率降低。
因此,研发出以下这样的技术,相对于单个电池或多个电池并联连接旁路模块,使发电能量从作为高电阻的电池进行旁路,并改善整体发电能量的回收效率(专利文献1)。
专利文献1所公开的现有的太阳光发电装置具备使其输出相对于电池进行旁路的旁路模块(旁路开关),旁路模块由MOSFET和控制器构成。现有的太阳光发电装置利用旁路模块来判别电池的日照状态,并且可通过对日照状态差的电池的输出进行旁路,来使旁路时的电压下降抑制得较小,从而能够整体上减小发电的损失。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2000-174308号公报
实用新型内容
实用新型所要解决的课题
但是,现有的太阳光发电装置需要用于获得使旁路模块进行动作的驱动电源的升压电路,因此成为复杂且昂贵的结构。其理由在于,要将对日照状态差的太阳光发电元件的两端施加的电压钳位于MOSFET的寄生二极管的顺方向电压(约0.6V)。
本实用新型鉴于上述问题点,提供能够利用简易且廉价的结构获得驱动电源的旁路模块所涉及的半导体装置。
解决问题的手段
为了解决上述的课题,本实用新型成为以下所示的结构。
本实用新型的半导体装置利用封装树脂来封装RBPMOS、控制元件、第1二极管、第2二极管、芯片载置台、第1内引线、第2内引线、第1金属线和第2金属线,其特征是,上述第1二极管是限幅(bootstrap)二极管,上述第2二极管是肖特基势垒二极管,上述第1二极管和上述第2二极管的极性不同。
本实用新型的半导体装置的特征是,通过绝缘性粘结剂在上述芯片载置台上载置上述控制元件。
本实用新型的半导体装置的特征是,利用以Al作为主材料的至少2根以上的上述第1金属线来电连接上述RBPMOS的源极与上述第1内引线之间。
本实用新型的半导体装置的特征是,在上述控制元件的电连接和上述第2二极管的阴极与上述RBPMOS的源极之间的电连接中采用以Au作为主材料的上述第2金属线。
本实用新型的半导体装置的特征是,在上述第2内引线的主面上通过导电性粘结剂载置上述第2二极管。
实用新型的效果
本实用新型因为构成为以上这样的结构,所以能够提供可利用简易且廉价的结构来获得驱动电源的关于旁路模块的半导体装置。
附图说明
图1是示出本实用新型的实施例1的半导体装置100的结构的平面示意图。
图2是示出本实用新型的实施例1的半导体装置100的结构的电路图。
标号说明
1 RBPMOS
2 控制元件
3 第1二极管
4 第2二极管
5 芯片载置台
51 第1内引线
52 第2内引线
53 外引线
61 第1金属线
62 第2金属线
7 树脂封装体
100 半导体装置
具体实施方式
以下,参照图来详细说明用于实施本实用新型的方式。此外,在以下的关于附图的记载中,利用相同或类似的符号表示相同或类似的部分。但是,附图是示意性的,尺寸关系的比率等与现实的不同。因此,具体的尺寸等应该对照以下的说明进行判断。另外,显而易见的是即使在附图的相互之间也包含尺寸的相互关系或比率不同的部分。
另外,以下所示的实施方式是用于使本实用新型的技术思想具体化的例示,本实用新型的实施方式不是将构成部件的材质、形状、构造、配置等特定为以下的内容。本实用新型的实施方式可以在不脱离要旨的范围内进行各种变更后再实施。
【实施例1】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的