[实用新型]一种不良半导体芯片去除装置有效
申请号: | 201520027077.8 | 申请日: | 2015-01-15 |
公开(公告)号: | CN204289409U | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 何伟;李宗华;王利华 | 申请(专利权)人: | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
地址: | 610041 *** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 不良 半导体 芯片 去除 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体芯片,特别是一种不良半导体芯片去除装置。
背景技术
半导体芯片在加工过程中,为节约空间,也便于储存运输,通常将半导体芯片均匀分布在一芯片条上,由于加工出来的半导体芯片有不良品,当检测出不良品后,需要对不良品进行去除,传动的不良半导体芯片是通过人工裁剪,效率低下,而且在裁剪时,需要将不良芯片四周完全剪断,劳动强度较大,人力成本较高,当不良品较多时,一张芯片条将会被分隔成多段,不利于芯片的储存运输,而且通过人工裁剪,还容易导致良品芯片破损,增加生产成本。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种工作效率高、降低成本和操作方便的不良半导体芯片去除装置。
本实用新型的目的通过以下技术方案来实现:一种不良半导体芯片去除装置,它包括机架,所述的机架的立柱下端设置有一底座,底座上连接有一下模板,所述的下模板上表面上设置有导柱,下模板中心开设有一方形盲孔,方形盲孔内安装有凹模,所述的凹模中心开设有一落料孔,在落料孔周边设置有四个对称的定位孔A,所述的定位孔A内安装有带有弹簧的定位针,所述的导柱上套有上模板,上模板上连接有一凸模,凸模中心位置连接有一刀具,刀具位于落料孔正上方,且刀具四周设置有与定位孔A相对应的定位孔B,所述的上模板连接一升降机构,所述的升降机构套在机架的立柱上,并可沿立柱上下移动。
所述的升降装置包括升降台、直齿条、齿轮,所述的升降台内部为中空结构,升降台内部架设有一旋转轴,旋转轴上套装齿轮,所述的升降台前端面上开设有一滑槽,滑槽内滑动配合有一直齿条,且升降台前端面上通过盖板封盖,所述的直齿条的齿条和齿轮的齿条相配合。
所述的旋转轴一端伸出升降台,在旋转轴伸出端设置有一摇杆。
所述的直齿条上端连接有一弹簧,弹簧的另一端与机架连接。
所述的升降台后端部开设有一通孔,升降台的通孔与立柱滑动配合,且在升降台的左侧壁上设置有一锁紧螺栓。
所述的凹模上表面上开设有多个方形槽,在凹模上开设有四个螺纹孔,螺纹孔分布在凹模的对角线上。
所述的凸模下表面开设有与凹模相对应的方形槽,且在凸模上表面开设有两个对称的螺纹孔。
所述的上模板下表面上设置有套筒,套筒套在立柱上
本实用新型具有以下优点:本实用新型的不良半导体芯片去除装置,将不良芯片放置落料孔上,且通过定位针定位,用手往下摇动摇杆,刀具完成不良芯片的去除,然后刀具在弹簧力和齿轮的作用下上行,不需将芯片条裁剪成多段就可完成不良芯片的去除,提高了生产效率,减少了报废,降低了成本,而且操作方便、劳动强度低。
附图说明
图1 为本实用新型的结构示意图
图2 为凹模的结构示意图
图3 为图2中A-A剖视示意图
图4 为凸模的结构示意图
图中,1-升降台,2-齿轮,3-旋转轴,4-锁紧螺栓,5-立柱,6-套筒,7-导柱,8-凹模,9-底座,10-下模板,11-上模板,12-凸模,13-盖板,14-摇杆,15-直齿条,16-弹簧,17-机架,18-落料孔,19-定位针,20-方形槽,21-定位孔A,22-刀具,23-定位孔B。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步的描述,本实用新型的保护围不局限于以下所述:
如图1所示,一种不良半导体芯片去除装置,它包括机架17,所述的机架17的立柱5下端设置有一底座9,底座9上连接有一下模板10,所述的下模板10上表面上设置有导柱7,下模板10中心开设有一方形盲孔,方形盲孔内安装有凹模8,如图2所示,所述的凹模8中心开设有一落料孔18,如图3所示,在落料孔18周边设置有四个对称的定位孔A21,所述的定位孔A21内安装有带有弹簧的定位针19,所述的导柱7上套有上模板11,上模板11上连接有一凸模12,如图4所示,凸模12中心位置连接有一刀具22,刀具22位于落料孔18正上方,且刀具四周设置有与定位孔A21相对应的定位孔B23,所述的上模板11连接一升降机构,所述的升降机构套在机架17的立柱5上,并可沿立柱5上下移动。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都先进功率半导体股份有限公司,未经成都先进功率半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520027077.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造