[实用新型]一种带隙基准电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种基准电路，具体是一种带隙基准电路。

背景技术

基准电压源被广泛应用于各种模拟集成电路、数模混合信号集成电路和系统集成芯片中，是集成电路的一个基本元件，其稳定性直接影响到整个系统的精度，然而，传统带隙基准电路只进行了一阶温度补偿，没有考虑到偏置稳定性所带来的间接影响，精度较低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高精度的带隙基准电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种带隙基准电路，包括三极管Q1、电阻R1、电阻R2、三极管Q2和电容C1，所述三极管Q1基极连接输入信号Vi，三极管Q1发射极分别连接电容C1、三极管Q16集电极、三极管Q8集电极、三极管Q2集电极、电源VCC、三极管Q3发射极和三极管Q4发射极，三极管Q4集电极分别连接接地电容C3、三极管Q9发射极和三极管Q10发射极，三极管Q10集电极分别连接电阻R9、三极管Q14基极、三极管Q15基极和三极管Q15集电极，三极管Q15发射极分别连接三极管Q14发射极、三极管Q13发射极和电阻R7，电阻R7另一端分别连接电阻R6、电阻R3、电容C2、电阻R2和电阻R1，电阻R1另一端连接三极管Q5发射极，三极管Q1集电极分别连接三极管Q1集电极、三极管Q5基极和三极管Q6基极，三极管Q6集电极分别连接电阻R2另一端和三极管Q7集电极，三极管Q7发射极分别连接三极管Q6发射极、电容C1另一端、三极管Q16发射极、三极管Q16基极、三极管Q3基极和三极管Q4基极，三极管Q7基极分别连接电容C2另一端和电阻R8，电阻R8另一端分别连接电阻R4和三极管Q12基极，三极管Q12发射极分别连接电阻R5和电阻R6另一端，电阻R5另一端连接三极管Q11发射极，三极管Q11集电极连接电阻R10，电阻R10另一端分别连接电阻R11、三极管Q2发射极和三极管Q2基极，电阻R11另一端分别连接三极管 Q9基极和三极管Q12集电极。

作为本实用新型进一步的方案：所述电源VCC电压为3.3V。

作为本实用新型再进一步的方案：所述电阻R10的阻值与电阻R11的阻值相等。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型采用了一种指数曲率补偿方式，通过引入高阶正温度系数项来抵消三极管基极-发射极电压的非线性部分，解决了高阶温度补偿问题，且针对偏置电流影响基准输出的问题，在电路中增加了钳位互补补偿模块来稳定偏置，大大降低了基准的温度系数，提高了电源抑制特性和抑制比，使整个电路的性能得到了极大的优化。

附图说明

图1为一种带隙基准电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型实施例中，一种带隙基准电路，包括三极管Q1、电阻R1、电阻R2、三极管Q2和电容C1，三极管Q1基极连接输入信号Vi，三极管Q1发射极分别连接电容C1、三极管Q16集电极、三极管Q8集电极、三极管Q2集电极、电源VCC、三极管Q3发射极和三极管Q4发射极，三极管Q4集电极分别连接接地电容C3、三极管Q9发射极和三极管Q10发射极，三极管Q10集电极分别连接电阻R9、三极管Q14基极、三极管Q15基极和三极管Q15集电极，三极管Q15发射极分别连接三极管Q14发射极、三极管Q13发射极和电阻R7，电阻R7另一端分别连接电阻R6、电阻R3、电容C2、电阻R2和电阻R1，电阻R1另一端连接三极管Q5发射极，三极管Q1集电极分别连接三极管Q1集电极、三极管Q5基极和三极管Q6基极，三极管Q6集电极分别连接电阻R2另一端和三极管Q7集电极，三极管Q7发射极分别连接三极管Q6发射极、电容C1另一端、三极管Q16发射极、三极 管Q16基极、三极管Q3基极和三极管Q4基极，三极管Q7基极分别连接电容C2另一端和电阻R8，电阻R8另一端分别连接电阻R4和三极管Q12基极，三极管Q12发射极分别连接电阻R5和电阻R6另一端，电阻R5另一端连接三极管Q11发射极，三极管Q11集电极连接电阻R10，电阻R10另一端分别连接电阻R11、三极管Q2发射极和三极管Q2基极，电阻R11另一端分别连接三极管Q9基极和三极管Q12集电极。

电源VCC电压为3.3V。