[实用新型]一种延时启动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电力电子技术领域，更具体地说，涉及一种延时启动电路。

背景技术

高品质的LED驱动器一般采用两级式电路结构，前级电路实现有源功率因数校正和为后级电路提供直流母线电压等功能，后级电路实现恒流源的输出、调光、以及各种数据的采样和电路保护等功能，且后级电路需要一定的延时再启动，在此延时时间内前级电路完成准备工作，以避免开机时前后级电路工作时序混乱。

图1是一种常见的延时启动电路，包括电阻R1、电容C1、电阻R2和NPN型三极管Q1，其工作原理是：上电后，输入电压V_in通过R1对C1充电，当Q1的基极电压大于基极与发射极之间的管压降后，Q1开始导通，其发射极电压(即输出电压V_out)缓慢上升；充电一定时间T后，输出电压V_out足以启动后级电路，时间T即为延时启动时间。

但是，该设计在实际运用时输出电压V_out往往比输入电压V_in低很多，导致后级电路有时不能正常工作，造成这种结果的原因是R1取值过大，使得Q1的基极电流偏小，集电极与发射极之间的压降过大引起的，而如果将R1取小，C1的取值就要相应变大才能满足电路对延时时间的要求，但采用大容值的电容对具有一定成本和布板空间的LED驱动器来说是不可取的，那么，如何解决因元器件参数取值不同而出现的输出电压V_out偏低或延时时间不足的问题，就成为本领域亟待解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种延时启动电路，以解决因元器件参数取值不同而出现的延时启动电路的输出电压偏低或延时时间不足的问题。

一种延时启动电路，包括RC充电电路、NPN型三极管、晶体管以及第一电阻，其中：

所述NPN型三极管的基极经所述第一电阻R1接回集电极；

所述RC充电电路连接在所述NPN型三极管的集电极与地之间，并与所述晶体管的控制端相连，用于控制所述晶体管的输出端信号；

所述晶体管的输出端接所述NPN型三极管的基极，所述晶体管的接地端接地。

其中，所述RC充电电路包括依次串接在所述NPN型三极管的集电极与地之间的第二电阻和第三电阻，以及并联在所述第三电阻两端的电容。

其中，所述晶体管为PNP型三极管；所述PNP型三极管的集电极接地，其基极接所述第二电阻与所述第三电阻的连接点，其发射极接所述NPN型三极管的基极。

其中，所述RC充电电路包括依次串接在所述NPN型三极管的集电极与地之间的第二电阻、电容和第三电阻。

其中，所述晶体管为NMOS管；所述NMOS管的源极接地，其栅极接所述电容与所述第三电阻的连接点，其漏极接所述NPN型三极管的基极。

从上述的技术方案可以看出，本实用新型中的晶体管在延时启动电路上电瞬间导通，随着输入电压V_in对RC充电电路进行充电，输入电压V_in通过第一电阻控制NPN型三极管导通，NPN型三极管发射极开始输出电压，即输出电压V_out；经过一定时间后，RC充电电路完成充电，输入电压V_in通过第一电阻控制NPN三极管饱和导通，输出电压V_out达到稳定值。延时启动时间由RC充电电路的元器件参数取值决定，输出电压V_out的稳定值由输入电压V_in的取值决定，不会出现因RC充电电路的元器件参数取值不同而导致输出电压V_out偏低或延时时间不足的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术公开的一种延时启动电路结构示意图；

图2为本实用新型实施例公开的一种延时启动电路结构示意图；

图3为图2中延时启动电路的第一种实现方式的具体电路结构示意图；

图4为图2中延时启动电路的第二种实现方式的具体电路结构示意图。

具体实施方式