[实用新型]记忆卡有效
| 申请号: | 201520003979.8 | 申请日: | 2015-01-05 |
| 公开(公告)号: | CN204406992U | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
| 发明(设计)人: | 吕国鼎 | 申请(专利权)人: | 群联电子股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 记忆 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种记忆卡。
背景技术
记忆卡俨然已成为现在储存媒体的新工具,不但具有体积小、容量大等优点,同时数据间的传输速度也相当快速,可以每秒10MB的速率进行数据的写入和读取,因而常见其应用于数码相机、移动电话等便携式电子装置中。目前市面上记忆卡种类相当繁多,如XD、SD、MMC、CF、MS、SM等,前述各类型不同的记忆卡间的主要差别在于储存格式及体积大小的不同。
一般而言,记忆卡多以两片壳体而将具有存储器单元的电子模块封装于内,而在所述壳体彼此对接的的过程中,其多会以定位结构将壳体予以定位之后,再以超音波熔接的方式结合壳体。然而,现有定位结构因制作公差而容易使得定位之后仍存在其间产生间隙,因而造成壳体之间仍会产生横向位移而错位(offset),而在制程中形成不良品。
据此,如何使壳体的对位结构提高其定位效能,便是相关人员所需思考并解决的课题。
实用新型内容
本实用新型提供一种记忆卡,其壳体通过定位组件而能无误地彼此对接。
本实用新型的记忆卡,包括第一壳体、第二壳体以及电子模块。第一壳体具有第一定位件。第二壳体具有第二定位件。电子模块容置于第一壳体与第二壳体对接后所形成的空间内。第一定位件具有侧缘,第二定位件具有导引面。第一壳体与第二壳体沿一轴彼此对接时,侧缘抵接在导引面上。在一截面上,导引面为一线段且侧缘为一点,其中线段与该轴夹锐角,截面平行于该轴。
在本实用新型的一实施例中,上述的第一定位件是凹槽,具有所述的侧 缘。第二定位件是凸柱,具有所述的导引面。
在本实用新型的一实施例中,上述的凸柱具有基部、末端与连接在基部与末端之间的一对导引面,且导引面彼此相对。凹槽在开口处具有一对侧缘,且侧缘彼此相对。当第一壳体与第二壳体对接时,侧缘分别抵接于导引面。
在本实用新型的一实施例中,在所述截面上,基部沿一方向具有尺寸D1,而末端沿该方向具有尺寸D2,且凹槽的侧缘沿该方向的相对距离为尺寸D3,其中D1>D3>D2。
在本实用新型的一实施例中,上述的凸柱在截面上的轮廓呈梯形。
在本实用新型的一实施例中,上述的凸柱具有基部与位于末端的导引面。凹槽在开口处具有一对侧缘,且侧缘彼此相对。当第一壳体与第二壳体对接时,侧缘抵接于导引面。
在本实用新型的一实施例中,在所述截面上,基部沿一方向具有尺寸D4,凹槽的侧缘沿该方向的相对距离为尺寸D3,且D4>D3。
在本实用新型的一实施例中,上述的导引面为曲面,侧缘同时抵接于曲面上。
在本实用新型的一实施例中,上述的第一定位件是凸柱,具有所述的侧缘。上述的第二定位件是凹槽,具有所述的导引面。
在本实用新型的一实施例中,上述的凸柱在末端具有彼此相对的一对侧缘,而凹槽具有底部与连接在开口与底部之间的一对导引面。当第一壳体与第二壳体对接时,侧缘分别抵接于导引面。
在本实用新型的一实施例中,在所述截面上,底部沿一方向具有尺寸D6,开口沿该方向具有尺寸D7,该对侧缘沿该方向的相对距离为尺寸D5,且D6<D5<D7。
在本实用新型的一实施例中,在所述截面上,凹槽沿所述方向的尺寸从开口处朝向底部收敛。
在本实用新型的一实施例中,上述的凸柱在末端具有彼此相对的一对侧缘,而凹槽具有位于底部的导引面,且导引面为曲面。当第一壳体与第二壳体沿该轴对接时,该对侧缘同时抵接于导引面。
在本实用新型的一实施例中,在所述截面上,侧缘沿所述方向的相对距离为尺寸D5,而凹槽在开口处具有沿所述方向的尺寸D8,且D5<D8。
在本实用新型的一实施例中,电子模块包括电路板、连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块以及存储器控制电路单元。电路板位于第一壳体与第二壳体之间。连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块以及存储器控制电路单元分别配置于电路板上,且经由电路板而彼此电性连接。
基于上述,记忆卡的第一壳体与第二壳体分别通过定位件在截面上的外形轮廓及尺寸关系,而使第一壳体与第二壳体在对接时,除能通过定位件的导引面而提供导引定位的效果外,还通过定位件在截面上是以单点式进行对接,即,不使定位件形成面接触关系,因而能进一步地提供定位件在横向(垂直对接轴向)上的卡置关系,以避免对接后的定位件产生相对位移而有效地避免第一壳体与第二壳体产生错位的情形,因而此举能提供记忆卡的壳体在进行超音波熔接时较佳的对位与固定效果。
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