[发明专利]一种开关管控制电路

说明书

本发明公开了一种开关管控制电路，包括开关管、微分电路、比较器、控制电路；微分电路的输入端与开关管的漏极相连，微分电路的输出端与比较器的第一输入端相连，将开关管漏极电压发生变化时产生的微分电流进行采样；比较器的第二输入端输入电压预设阈值，比较器将微分电路的输出电压与电压预设阈值进行比较，比较器的输出端输出开关管控制信号。控制电路的输入端连接比较器的输出端、控制电路的输出端连接开关管的栅极，所述控制电路根据比较器输出的开关管控制信号，判断开关管漏极电压是否达到最小值，并在开关管的漏极电压达到最小值时控制开关管导通。

技术领域

本发明涉及开关电源领域，尤其涉及一种开关管控制电路。

背景技术

绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor FET，简称MOSFET，或MOS管)常作为开关管应用于开关电源电路中。临界导通模式是开关电源的工作模式之一，发生在MOS管的关断周期，希望能在电感电流下降至零后、MOS管的漏极电压为最低时导通MOS管，这样可以最大程度地减少MOS管导通时的瞬间开关功耗，提高系统效率。因此，检测电路需要精确检测到MOS管的漏、源极电压之差最低的时刻。

请参考图1，目前一般的检测电路包括第一电感L1、第一续流二极管D1、第一开关MOS管Q1、比较器1和控制电路2，比较器1的负输入端连接第一开关管Q1的漏极、正输入端输入电压的预设阈值，控制电路2的输入端连接比较器1的输出端、输出端连接第一开关MOS管Q1的栅极。在第一开关MOS管Q1的关断周期内，比较器1对第一开关MOS管Q1的漏极电压与预设阈值进行比较，当第一开关MOS管Q1的漏极电压小于预设阈值时，比较器1输出第一开关MOS管Q1导通信号，控制电路2根据这一信号导通第一开关MOS管Q1，第一电感L1电流和第一开关MOS管Q1的漏极电压随第一开关MOS管Q1的导通、关断的变化关系如图2所示。

但是，第一开关MOS管Q1的漏极的电压的最小值会随应用电路的不同而变化，而比较器1的阈值为预设不能改变，请参考图3，检测电路有时会无法检测到电压的最低点，造成检测误差，影响系统效率。

发明内容

本发明的目的是提供一种开关管控制电路，解决现有检测电路会出现无法检测到电压差最低点、造成检测误差、影响系统效率的问题。

为解决上述问题，本发明提供一种开关管控制电路，包括开关管、微分电路、比较器；所述微分电路的输入端与开关管的漏极相连，微分电路的输出端与比较器的第一输入端相连，将开关管漏极电压发生变化时产生的微分电流进行采样；比较器的第二输入端输入电压预设阈值，比较器将微分电路的输出电压与电压预设阈值进行比较，比较器的输出端输出开关管控制信号。

可选的，还包括控制电路；所述控制电路的输入端连接比较器的输出端、控制电路的输出端连接开关管的栅极；所述控制电路根据比较器输出的开关管控制信号，判断开关管漏极电压是否达到最小值，并在开关管的漏极电压达到最小值时控制开关管导通。

可选的，所述比较器第二输入端输入的电压预设阈值小于零电位。

可选的，所述微分电路包括第一电阻和第一电容，所述第一电阻两端分别连接微分电路的输出端和零电位，所述第一电容的两端分别连接开关管的漏极和微分电路的输出端。

可选的，所述第一电阻两端分别连接开关管的栅极和零电位。

可选的，所述第一电容为开关管漏、栅极寄生电容。

可选的，所述微分电路还包括第一绝缘栅型场效应管，第一绝缘栅型场效应管的漏、源两极分别连接开关管的栅极和零电位，所述第一绝缘栅型场效应管的等效电阻为第一电阻。

可选的，所述控制电路包括边沿检测电路；所述边沿检测电路检测到下降沿后，输出控制信号，使开关管导通；所述边沿检测电路检测到上升沿后，延时一段时间，输出控制信号，使开关管导通。