[发明专利]用于驱动信号的动态调节装置及其驱动方法和驱动系统有效
| 申请号: | 201511031761.4 | 申请日: | 2015-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN105576950B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
| 发明(设计)人: | 张钦阳;詹桦;洪益文 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M3/335;H02M1/44 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐伟 |
| 地址: | 310012*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 驱动 信号 动态 调节 装置 及其 方法 系统 | ||
1.一种用于驱动信号的动态调节装置,所述驱动信号用于驱动MOS开关管的开关,所述动态调节装置包括:
上拉MOS管,栅极端接收用于控制其导通或关断的上拉控制信号,源极端和漏极端中的一端耦接至电源电压端,另一端耦接至所述MOS开关管的栅极端,
下拉MOS管,栅极端接收用于控制其导通或关断的下拉控制信号,源极端和漏极端中的一端耦接至电路地端,另一端耦接至所述MOS开关管的栅极端,以及
受控电压源模块,在所述下拉MOS管在被所述下拉控制信号开启时,向所述下拉MOS管的栅极端提供受控电压以使所述下拉MOS管的栅-源电压以动态可调的速度升至电源电压,从而以可变的驱动能力驱动所述MOS开关管的关断;
其中负载条件越重,则所述受控电压源模块向所述下拉MOS管的栅极端提供的受控电压变化越缓,以减慢下拉MOS管的栅-源电压升至电源电压的速度,从而降低驱动能力,而负载条件越轻,所述受控电压源模块向所述下拉MOS管的栅极端提供的受控电压变化越快,以加快所述下拉MOS管的栅-源电压升至电源电压的速度,从而提高驱动能力。
2.如权利要求1所述的动态调节装置,其特征在于,所述受控电压源电路包括:
下拉充放电电容,耦接在所述下拉MOS管的栅极端与源极端之间;以及
动态电流生成模块,用于基于所述MOS开关管的负载条件动态地生成大小变化的充放电电流,所述动态电流生成模块的输出端耦接至所述下拉MOS管的栅极端,以在所述下拉MOS管开启时,通过对所述下拉充放电电容的充放电,向所述下拉MOS管的栅极提供受控电压。
3.如权利要求2所述的动态调节装置,其特征在于,所述动态电流生成模块在越重的负载条件下生成越小的充放电电流,以减慢所述下拉MOS管的栅-源电压升至电源电压的速度,而在越轻的负载条件下生成越大的充放电电流,以加快下拉MOS管的栅-源电压升至电源电压的速度。
4.如权利要求2所述的动态调节装置,其特征在于,所述下拉MOS管的栅极端与所述动态电流生成模块之间设有下拉电流开关管以控制所述充放电电流的通断,所述下拉电流开关管的栅极端耦接至所述下拉控制信号,以在所述下拉控制信号控制所述下拉MOS管导通时,使所述下拉电流开关管导通以向所述下拉MOS管的栅极端提供充放电电流。
5.如权利要求4所述的动态调节装置,其特征在于,所述受控电压源电路还包括下拉复位开关管,所述下拉复位开关管的源极端和漏极端中的一端耦接至所述下拉MOS开关管的栅极端,另一端在所述下拉MOS管为PMOS管时耦接至电源电压端而在所述下拉MOS管为NMOS管时耦接至电路地端,所述下拉复位开关管具有与所述下拉电流开关管相反的导通或关断状态。
6.如权利要求4所述的动态调节装置,其特征在于,所述下拉电流开关管的源极端和漏极端中的一端耦接至所述动态电流生成模块的输出端,另一端耦接至所述下拉MOS管的栅极端。
7.如权利要求4所述的动态调节装置,其特征在于,所述受控电压源电路还包括下拉电流镜电路,所述动态电流生成模块经由所述下拉电流镜电路耦接至所述下拉MOS管的栅极端,所述下拉电流开关管耦接至所述下拉电流镜电路以控制所述下拉电流镜电路的通断。
8.如权利要求7所述的动态调节装置,其特征在于,所述下拉电流镜电路包括:
第一电流镜单元,所述第一电流镜单元的镜像输入端耦接所述动态电流生成模块的输出端;以及
第二电流镜单元,所述第二电流镜单元的镜像输入端经由所述下拉电流开关管耦接至所述第一电流镜单元的镜像输出端,所述第二电流镜单元的镜像输出端耦接至所述下拉MOS管的栅极端。
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