[发明专利]一种超结MOSFET有效
| 申请号： | 201511030172.4 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105633127B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 任敏;王亚天;陈哲;曹晓峰;李爽;李泽宏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet | ||
1.一种超结MOSFET，其元胞结构包括N+衬底(2)和位于N+衬底(2)上表面的N型外延区(3)；所述N+衬底(2)的下表面具有金属漏电极(1)；所述N型外延区(3)上表面具有源电极(11)；所述源电极(11)中具有栅极结构，所述栅极结构由多晶硅栅电极(9)和位于多晶硅栅电极(9)外围的栅氧化层(10)构成，所述栅氧化层(10)的下表面与N型外延区(3)的上表面连接；所述N型外延区(3)中具有第一P型柱(4)，所述第一P型柱(4)的下表面与N+衬底(2)的上表面连接；所述第一P型柱(4)与源电极(11)之间具有第一P型体区(6)，第一P型体区(6)分别与第一P型柱(4)和源电极(11)接触；所述第一P型体区(6)上层具有N+有源区(8)和第一P+接触区(7)，所述第一P+接触区(7)位于N+有源区(8)之间；其特征在于，所述N型外延区(3)中还具有第二P型柱(5)，所述第二P型柱(5)与源电极(11)之间具有第二P型体区(61)，所述第二P型体区(61)分别与第二P型柱(5)和源电极(11)接触；所述第二P型体区(61)上层具有第二P+接触区(71)；所述第二P型柱(5)的掺杂浓度等于第一P型柱(4)，第二P型柱(5)的掺杂深度小于第一P型柱(4)，使得所述第二P型柱(5)处的击穿电压低于第一P型柱(4)处的击穿电压；所述第二P型柱(5)与N+衬底(2)之间具有P型高掺杂区(12)，P型高掺杂区(12)分别与第二P型柱(5)和N+衬底(2)接触；所述第二P型柱(5)构成伪元胞，该伪元胞不含N+有源区，当发生雪崩击穿时，伪元胞的击穿电压将比正常元胞低，雪崩击穿点将被限定在伪元胞处，雪崩电流将通过伪元胞的源电极流出。
2.根据权利要求1所述的一种超结MOSFET，其特征在于，所述第一P型体区(6)的掺杂浓度和结深与第二P型体区(61)完全相同。
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